SLC9-65608V-55EHXXX:D,SLC9-65608V-55EHXXX:D pdf中文资料,SLC9-65608V-55EHXXX:D引脚图,SLC9-65608V-55EHXXX:D电路-Datasheet-电子工程世界

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Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> SLC9-65608V-55EHXXX:D

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SLC9-65608V-55EHXXX:D: 产品描述Standard SRAM, 128KX8, 55ns, CMOS, CDIP32,; 产品类别存储存储; 文件大小519KB，共10页; 制造商Atmel (Microchip)

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SLC9-65608V-55EHXXX:D概述

Standard SRAM, 128KX8, 55ns, CMOS, CDIP32,

SLC9-65608V-55EHXXX:D规格参数

参数名称	属性值
Objectid	1429780087
Reach Compliance Code	unknown
最长访问时间	55 ns
JESD-30 代码	R-CDIP-T32
内存密度	1048576 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	8
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	32
字数	131072 words
字数代码	128000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
组织	128KX8
输出特性	3-STATE
可输出	YES
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL
认证状态	Not Qualified
最小待机电流	2 V
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	MILITARY
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	DUAL

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