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30CPQ040

产品描述30 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-247AD
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小318KB,共4页
制造商SMC
官网地址http://www.smc-diodes.com/
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30CPQ040概述

30 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-247AD

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30CPQ035
30CPQ040
30CPQ045
Technical Data
Data Sheet N0612, Rev. A
30CPQ035/30CPQ040/30CPQ045
SCHOTTKY RECTIFIER
Features
150
C
T
J
operation
Low forward voltage drop
High purity, high temperature epoxy encapsulation for
enhanced mechanical strength and moisture resistance
High frequency operation
Guard ring for enhanced ruggedness and long term
reliability
This is a Pb − Free Device
All SMC parts are traceable to the wafer lot
Additional testing can be offered upon request
TO-247AD
Circuit Diagram
Applications
Switching power supply
Converters
Free-Wheeling diodes
Reverse battery protection
Maximum Ratings:
Characteristics
Peak Repetitive Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
Average Rectified Forward Current
Peak One Cycle Non-Repetitive Surge
Current(Per Leg)
Symbol
V
RRM
V
RWM
V
R
I
F (AV)
I
FSM
Condition
-
50% duty cycle @Tc=124°C,
rectangular wave form
8.3ms, Half Sine pulse, T
C
= 25
C
Max.
35(30CPQ035)
40(30CPQ040)
45(30CPQ045)
15(Per Leg)
30(Per Device)
318
Units
V
A
A
Electrical Characteristics:
Characteristics
Forward Voltage Drop
(Per Leg)*
Symbol
V
F1
V
F2
Condition
@ 15A, Pulse, T
J
= 25
C
@ 30A, Pulse, T
J
= 25
C
@ 15A, Pulse, T
J
= 125
C
@ 30A, Pulse, T
J
= 125
C
@V
R
= rated V
R
T
J
= 25
C
@V
R
= rated V
R
T
J
= 125
C
@V
R
= 5V, T
C
= 25
C
f
SIG
= 1MHz
-
Typ.
0.52
0.60
0.48
0.58
0.02
10
750
-
Max.
0.54
0.68
0.50
0.64
1.00
70
900
10,000
Units
V
V
mA
mA
pF
V/s
Reverse Current
(Per Leg)*
Junction Capacitance(Per Leg)
Voltage Rate of Change
* Pulse width < 300 µs, duty cycle < 2%
I
R1
I
R2
C
T
dv/dt
China - Germany - Korea - Singapore - United States
http://www.smc-diodes.com - sales@ smc-diodes.com

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30CPQ040 30CPQ035
描述 30 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-247AD 15 A, 35 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
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