Silicon Power Schottky Diode
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | GeneSiC |
包装说明 | R-PUFM-X1 |
Reach Compliance Code | compli |
ECCN代码 | EAR99 |
应用 | POWER |
外壳连接 | ANODE |
配置 | SINGLE |
二极管元件材料 | SILICON |
二极管类型 | RECTIFIER DIODE |
最大正向电压 (VF) | 0.84 V |
JESD-30 代码 | R-PUFM-X1 |
最大非重复峰值正向电流 | 2000 A |
元件数量 | 1 |
相数 | 1 |
端子数量 | 1 |
最高工作温度 | 150 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
最大输出电流 | 120 A |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT |
最大重复峰值反向电压 | 80 V |
最大反向电流 | 1000 µA |
表面贴装 | NO |
技术 | SCHOTTKY |
端子形式 | UNSPECIFIED |
端子位置 | UPPER |
MBRH12080R | MBRH120100R | 2SC3447_2014 | MBRH12080 | |
---|---|---|---|---|
描述 | Silicon Power Schottky Diode | Silicon Power Schottky Diode | Silicon NPN Power Transistors | Silicon Power Schottky Diode |
是否无铅 | 不含铅 | 不含铅 | - | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | - | 符合 |
厂商名称 | GeneSiC | GeneSiC | - | GeneSiC |
包装说明 | R-PUFM-X1 | R-PUFM-X1 | - | R-PUFM-X1 |
Reach Compliance Code | compli | compli | - | compli |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | - | EAR99 |
应用 | POWER | POWER | - | POWER |
外壳连接 | ANODE | ANODE | - | CATHODE |
配置 | SINGLE | SINGLE | - | SINGLE |
二极管元件材料 | SILICON | SILICON | - | SILICON |
二极管类型 | RECTIFIER DIODE | RECTIFIER DIODE | - | RECTIFIER DIODE |
最大正向电压 (VF) | 0.84 V | 0.84 V | - | 0.84 V |
JESD-30 代码 | R-PUFM-X1 | R-PUFM-X1 | - | R-PUFM-X1 |
最大非重复峰值正向电流 | 2000 A | 2000 A | - | 2000 A |
元件数量 | 1 | 1 | - | 1 |
相数 | 1 | 1 | - | 1 |
端子数量 | 1 | 1 | - | 1 |
最高工作温度 | 150 °C | 150 °C | - | 150 °C |
最低工作温度 | -55 °C | -55 °C | - | -55 °C |
最大输出电流 | 120 A | 120 A | - | 120 A |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | - | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | - | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT | FLANGE MOUNT | - | FLANGE MOUNT |
最大重复峰值反向电压 | 80 V | 100 V | - | 80 V |
最大反向电流 | 1000 µA | 1000 µA | - | 1000 µA |
表面贴装 | NO | NO | - | NO |
技术 | SCHOTTKY | SCHOTTKY | - | SCHOTTKY |
端子形式 | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED | - | UNSPECIFIED |
端子位置 | UPPER | UPPER | - | UPPER |
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