MOTOROLA
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
Order this document
by MRF182/D
The RF MOSFET Line
MRF182
MRF182S, R1
Field Effect Transistors
N–Channel Enhancement–Mode Lateral
MOSFETs
•
High Gain, Rugged Device
•
Broadband Performance from HF to 1 GHz
•
Bottom Side Source Eliminates DC Isolators, Reducing Common
Mode Inductances
•
MRF182S Available in Tape and Reel by Adding R1 Suffix to Part Number.
MRF182SR1 = 500 Units per 24 mm, 13 inch Reel.
D
30 W, 1.0 GHz
LATERAL N–CHANNEL
BROADBAND
RF POWER MOSFETs
LIFETIME BUY
G
CASE 360B–03, STYLE 1
(MRF182)
S
CASE 360C–03, STYLE 1
(MRF182S)
Rating
Drain–Source Voltage
Gate–Source Voltage
Total Device Dissipation @ TC = 70°C
Derate above 70°C
Storage Temperature Range
Operating Junction Temperature
Symbol
VDSS
VGS
PD
Tstg
TJ
Value
65
±
20
74
0.57
– 65 to +150
200
Unit
Vdc
Vdc
W
W/°C
°C
°C
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Thermal Resistance, Junction to Case
Symbol
R
θJC
Max
1.75
Unit
°C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TC = 25°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Drain–Source Breakdown Voltage
(VGS = 0, ID = 1.0
m
Adc)
Zero Gate Voltage Drain Current
(VDS = 28 V, VGS = 0)
Gate–Source Leakage Current
(VGS = 20 V, VDS = 0)
V(BR)DSS
IDSS
IGSS
65
–
–
–
–
–
–
1
1
Vdc
µAdc
µAdc
NOTE –
CAUTION
– MOS devices are susceptible to damage from electrostatic charge. Reasonable precautions in handling and
packaging MOS devices should be observed.
REV 9
RF DEVICE DATA
©
Motorola, Inc. 2000
MRF182 MRF182S, R1
1
LAST ORDER 31JUL04
MAXIMUM RATINGS
LAST SHIP 31JAN05
RF Power
ELECTRICAL CHARACTERISTICS – continued
(TC = 25°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
ON CHARACTERISTICS
Gate Threshold Voltage
(VDS = 10 V, ID = 100
µA)
Gate Quiescent Voltage
(VDS = 28 V, ID = 50 mA)
Drain–Source On–Voltage
(VGS = 10 V, ID = 3 A)
Forward Transconductance
(VDS = 10 V, ID = 3 A)
VGS(th)
VGS(Q)
VDS(on)
gfs
2
3
–
1.6
3
4
0.9
1.8
4
5
1.2
–
Vdc
Vdc
Vdc
S
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Input Capacitance
(VDS = 28 V, VGS = 0, f = 1 MHz)
Output Capacitance
(VDS = 28 V, VGS = 0, f = 1 MHz)
Reverse Transfer Capacitance
(VDS = 28 V, VGS = 0, f = 1 MHz)
Ciss
Coss
Crss
–
–
–
56
28
2.5
–
–
–
pF
pF
pF
LIFETIME BUY
FUNCTIONAL CHARACTERISTICS
Common Source Power Gain
(VDD = 28 Vdc, Pout = 30 W, IDQ = 50 mA, f = 945 MHz)
Drain Efficiency
(VDD = 28 Vdc, Pout = 30 W, IDQ = 50 mA, f = 945 MHz)
Load Mismatch
(VDD = 28 Vdc, Pout = 30 W, IDQ = 50 mA, f = 945 MHz,
Load VSWR 5:1 at All Phase Angles)
Series Equivalent Input Impedance
(VDD = 28 Vdc, Pout = 30 W, IDQ = 50 mA, f = 960 MHz)
Series Equivalent Output Impedance
(VDD = 28 Vdc, Pout = 30 W, IDQ = 50 mA, f = 960 MHz)
Gps
η
11
50
14
58
–
–
dB
%
Ψ
Zin
Zout
–
–
No Degradation in Output Power
2.15 – j1.7
–
ohms
MRF182 MRF182S, R1
2
RF DEVICE DATA
LAST ORDER 31JUL04
0.81 + j1.6
–
ohms
LAST SHIP 31JAN05
VGG
R1
R2
C5
C6
C7
C8
C9
R4
C11
B1
C10
C12
VDD
C2
DUT
RF
INPUT
TL1
C1
TL2
TL3
C4
TL4
RF
OUTPUT
C3
C14
L1
R1
R2
R3
R4
TL1–TL4
Ckt Board
5 Turns, 20 AWG, IDIA 0.126
10 kΩ, 1/4 W Resistor
13 kΩ, 1/4 W Resistor
1.0 kΩ, 1/4 W Chip Resistor
4 x 39
Ω,
1/8 W Chip Resistor
Microstrip Line See Photomaster
1/32″ Glass Teflon,
ε
r = 2.55
ARLON–GX–0300–55–22
LIFETIME BUY
B1
C1
C2, C3, C6, C9
C4
C5, C12
C7, C10
C8, C11
C13
C14
Short RF Bead Fair Rite–274301944
18 pF Chip Capacitor
43 pF Chip Capacitor
100 pF Chip Capacitor
10
µF,
50 Vdc Electrolytic Capacitor
1000 pF Chip Capacitor
0.1
µF,
50 Vdc Chip Capacitor
250
µF,
50 Vdc Electrolytic Capacitor
0.6–4.5 pF Variable Capacitor
Figure 1. MRF182 Schematic
RF DEVICE DATA
MRF182 MRF182S, R1
3
LAST ORDER 31JUL04
LAST SHIP 31JAN05
R3
L1
C13
TYPICAL CHARACTERISTICS
40
Pout , OUTPUT POWER (WATTS)
VDS = 28 Vdc
35 IDQ = 50 mA
f = 1 GHz
30
25
20
15
10
5
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
16
Gps , POWER GAIN (dB)
12
10
8
6
4
2
0
0
VDS = 28 Vdc
IDQ = 50 mA
f = 1 GHz
5
10
15
20
25
30
35
40
Pout, OUTPUT POWER (WATTS)
Pin, INPUT POWER (WATTS)
LIFETIME BUY
Figure 2. Output Power versus
Input Power at 1 GHz
60
Pout , OUTPUT POWER (WATTS)
50
40
30
20
10
0
VDS = 28 Vdc
IDQ = 50 mA
f = 1 GHz
30
25
20
15
10
Figure 3. Power Gain versus
Output Power at 1 GHz
f = 1 GHz
IDQ = 50 mA
Pin = 1.23 W
η
d , DRAIN EFFICIENCY (%)
0.75 W
0.35 W
5
0
12
0
5
10
15
20
25
30
35
40
14
16
18
20
22
24
26
28
Pout, OUTPUT POWER (WATTS)
VDS, SUPPLY VOLTAGE (VOLTS)
Figure 4. Drain Efficiency versus
Output Power at 1 GHz
Figure 5. Output Power versus Supply Voltage
20
18
Pout , OUTPUT POWER (WATTS)
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
VDS = 13.5 Vdc
IDQ = 50 mA
f = 1 GHz
C, CAPACITANCE (pF)
100
Ciss
Coss
10
Crss
1
0
5
10
15
20
25
30
Pin, INPUT POWER (WATTS)
VDS, DRAIN SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Output Power versus Input Power
Figure 7. Capacitance versus Drain
Source Voltage
RF DEVICE DATA
MRF182 MRF182S, R1
4
LAST ORDER 31JUL04
LAST SHIP 31JAN05
14
ÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁ Á Á Á Á Á Á Á
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁ Á Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁ Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁ Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁ Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁ Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á
1500
1450
1400
1350
1300
1250
1200
1050
1000
1150
1100
f
MHz
950
900
850
800
750
700
650
600
550
500
450
400
350
300
250
200
150
100
90
80
70
60
50
40
30
20
0.927
0.937
0.937
0.933
0.936
0.939
0.930
0.933
0.938
0.930
0.934
0.933
0.929
0.929
0.924
0.920
0.916
0.914
0.907
0.898
0.899
0.892
0.882
0.877
0.880
0.868
0.862
0.859
0.859
0.860
0.860
0.863
0.870
0.877
0.892
0.922
0.933
|S11|
S11
RF DEVICE DATA
LIFETIME BUY
Table 1. Typical Common Source S–Parameters (VDS = 13.5 V)
φ
|S21|
S21
ID = 1.0 A
φ
|S12|
S12
φ
|S22|
S22
φ
LAST SHIP 31JAN05
–180
–179
–178
–177
–177
–176
–175
–173
–170
–169
–168
–166
–164
–161
–156
–148
–131
176
177
177
179
179
180
12.57
14.67
17.91
22.19
29.31
40.81
11.00
0.80
0.88
0.95
1.07
1.19
1.33
1.51
1.72
1.98
2.32
2.77
3.38
4.29
5.78
8.79
9.79
104
112
30
34
35
38
42
45
49
52
56
61
65
69
74
80
86
87
89
90
92
95
99
0.015
0.015
0.014
0.015
0.016
0.017
0.017
0.018
0.019
0.020
0.020
0.021
0.022
0.022
0.022
0.022
0.022
0.022
0.023
0.023
0.022
0.022
0.021
–27
–26
–25
–28
–28
–27
–26
–24
–22
–19
–17
–14
–11
–7
–1
10
15
22
0
1
2
4
7
0.884
0.874
0.867
0.859
0.849
0.838
0.828
0.816
0.808
0.793
0.780
0.770
0.759
0.750
0.741
0.740
0.738
0.735
0.732
0.725
0.718
0.700
0.664
–177
–176
–176
–175
–175
–174
–174
–173
–173
–173
–173
–173
–172
–172
–169
–169
–168
–166
–164
–162
–158
–151
–138
LAST ORDER 31JUL04
164
165
166
167
168
168
169
170
171
172
173
173
174
175
0.32
0.33
0.35
0.38
0.40
0.42
0.45
0.48
0.52
0.54
0.58
0.63
0.68
0.74
–2
10
13
15
17
20
22
25
27
0
2
4
6
8
0.004
0.005
0.005
0.006
0.007
0.007
0.008
0.008
0.009
0.009
0.010
0.013
0.015
0.011
–14
–19
–21
–23
–25
–28
–29
–33
–37
–39
–38
–33
–5
0
MRF182 MRF182S, R1
5
0.930
0.934
0.939
0.936
0.934
0.935
0.930
0.929
0.924
0.918
0.912
0.905
0.897
0.891
–180
–179
–178
–178
173
174
174
175
176
177
177
178
179
180
模拟电子
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
电子工程世界
