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T12N10UOC

产品描述Silicon Controlled Rectifier, 12000mA I(T), 1000V V(DRM),
产品类别模拟混合信号IC    触发装置   
文件大小677KB,共9页
制造商EUPEC [eupec GmbH]
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T12N10UOC概述

Silicon Controlled Rectifier, 12000mA I(T), 1000V V(DRM),

T12N10UOC规格参数

参数名称属性值
Objectid101734779
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
标称电路换相断开时间60 µs
关态电压最小值的临界上升速率400 V/us
最大直流栅极触发电流50 mA
最大直流栅极触发电压2 V
最大维持电流100 mA
最大漏电流5 mA
通态非重复峰值电流220 A
最大通态电压2.8 V
最大通态电流12000 A
最高工作温度125 °C
最低工作温度-40 °C
断态重复峰值电压1000 V
表面贴装NO
触发设备类型SCR

T12N10UOC相似产品对比

T12N10UOC T12N04COB T12N04COC T12N08COB T12N09UOB
描述 Silicon Controlled Rectifier, 12000mA I(T), 1000V V(DRM), Silicon Controlled Rectifier, 12000mA I(T), 400V V(DRM), Silicon Controlled Rectifier, 12000mA I(T), 400V V(DRM), Silicon Controlled Rectifier, 12000mA I(T), 800V V(DRM), Silicon Controlled Rectifier, 12000mA I(T), 900V V(DRM),
Objectid 101734779 101734732 101734733 101734750 101734759
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
标称电路换相断开时间 60 µs 60 µs 60 µs 60 µs 60 µs
关态电压最小值的临界上升速率 400 V/us 50 V/us 400 V/us 50 V/us 50 V/us
最大直流栅极触发电流 50 mA 50 mA 50 mA 50 mA 50 mA
最大直流栅极触发电压 2 V 2 V 2 V 2 V 2 V
最大维持电流 100 mA 100 mA 100 mA 100 mA 100 mA
最大漏电流 5 mA 5 mA 5 mA 5 mA 5 mA
通态非重复峰值电流 220 A 220 A 220 A 220 A 220 A
最大通态电压 2.8 V 2.8 V 2.8 V 2.8 V 2.8 V
最大通态电流 12000 A 12000 A 12000 A 12000 A 12000 A
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C
断态重复峰值电压 1000 V 400 V 400 V 800 V 900 V
表面贴装 NO NO NO NO NO
触发设备类型 SCR SCR SCR SCR SCR

 
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