Silicon Controlled Rectifier, 12000mA I(T), 1000V V(DRM),
参数名称 | 属性值 |
Objectid | 101734779 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
标称电路换相断开时间 | 60 µs |
关态电压最小值的临界上升速率 | 400 V/us |
最大直流栅极触发电流 | 50 mA |
最大直流栅极触发电压 | 2 V |
最大维持电流 | 100 mA |
最大漏电流 | 5 mA |
通态非重复峰值电流 | 220 A |
最大通态电压 | 2.8 V |
最大通态电流 | 12000 A |
最高工作温度 | 125 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
断态重复峰值电压 | 1000 V |
表面贴装 | NO |
触发设备类型 | SCR |
T12N10UOC | T12N04COB | T12N04COC | T12N08COB | T12N09UOB | |
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描述 | Silicon Controlled Rectifier, 12000mA I(T), 1000V V(DRM), | Silicon Controlled Rectifier, 12000mA I(T), 400V V(DRM), | Silicon Controlled Rectifier, 12000mA I(T), 400V V(DRM), | Silicon Controlled Rectifier, 12000mA I(T), 800V V(DRM), | Silicon Controlled Rectifier, 12000mA I(T), 900V V(DRM), |
Objectid | 101734779 | 101734732 | 101734733 | 101734750 | 101734759 |
Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown | unknown | unknown |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
标称电路换相断开时间 | 60 µs | 60 µs | 60 µs | 60 µs | 60 µs |
关态电压最小值的临界上升速率 | 400 V/us | 50 V/us | 400 V/us | 50 V/us | 50 V/us |
最大直流栅极触发电流 | 50 mA | 50 mA | 50 mA | 50 mA | 50 mA |
最大直流栅极触发电压 | 2 V | 2 V | 2 V | 2 V | 2 V |
最大维持电流 | 100 mA | 100 mA | 100 mA | 100 mA | 100 mA |
最大漏电流 | 5 mA | 5 mA | 5 mA | 5 mA | 5 mA |
通态非重复峰值电流 | 220 A | 220 A | 220 A | 220 A | 220 A |
最大通态电压 | 2.8 V | 2.8 V | 2.8 V | 2.8 V | 2.8 V |
最大通态电流 | 12000 A | 12000 A | 12000 A | 12000 A | 12000 A |
最高工作温度 | 125 °C | 125 °C | 125 °C | 125 °C | 125 °C |
最低工作温度 | -40 °C | -40 °C | -40 °C | -40 °C | -40 °C |
断态重复峰值电压 | 1000 V | 400 V | 400 V | 800 V | 900 V |
表面贴装 | NO | NO | NO | NO | NO |
触发设备类型 | SCR | SCR | SCR | SCR | SCR |
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