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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> MUR30040CT
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MUR30040CT

产品描述Silicon Super Fast Recovery Diode
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小369KB，共3页
制造商GeneSiC
官网地址http://www.genesicsemi.com/
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MUR30040CT在线购买

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MUR30040CT概述

Silicon Super Fast Recovery Diode

MUR30040CT规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称GeneSiC
包装说明R-PUFM-X2
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
应用SUPER FAST RECOVERY
外壳连接CATHODE
配置COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.3 V
JESD-30 代码R-PUFM-X2
最大非重复峰值正向电流2750 A
元件数量2
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流150 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
最大重复峰值反向电压400 V
最大反向电流25 µA
最大反向恢复时间0.11 µs
表面贴装NO
端子形式UNSPECIFIED
端子位置UPPER

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MUR30040CT thru MUR30060CTR
Silicon Super Fast
Recovery Diode
Features
• High Surge Capability
• Types from 400 to 600 V V
RRM
• Not ESD Sensitive
Twin Tower Package
V
RRM
= 400 V - 600 V
I
F(AV)
= 300 A
Maximum ratings, at T
j
= 25 °C, unless otherwise specified ("R" devices have leads reversed)
Parameter
Repetitive peak reverse voltage
RMS reverse voltage
DC blocking voltage
Operating temperature
Storage temperature
Symbol
V
RRM
V
RMS
V
DC
T
j
T
stg
Conditions
MUR30040CT(R)
400
280
400
-55 to 150
-55 to 150
MUR30060CT(R)
600
420
600
-55 to 150
-55 to 150
Unit
V
V
V
°C
°C
Electrical characteristics, at Tj = 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Average forward current (per pkg)
Peak forward surge current (per
leg)
Maximum instantaneous forward
voltage (per leg)
Maximum reverse current at rated
DC blocking voltage (per leg)
Maximum reverse recovery time
(per leg)
Symbol
I
F(AV)
I
FSM
V
F
I
R
T
rr
Conditions
T
C
= 125 °C
t
p
= 8.3 ms, half sine
I
FM
= 150 A, T
j
= 25 °C
T
j
= 25 °C
T
j
= 125 °C
I
F
=0.5 A, I
R
=1.0 A,
I
RR
= 0.25 A
MUR30040CT(R)
300
2750
1.3
25
3
110
MUR30060CT(R)
300
2750
1.7
25
3
150
Unit
A
A
V
μA
mA
nS
Thermal characteristics
Maximum thermal resistance,
junction - case (per leg)
R
ΘJC
0.40
0.40
°C/W
www.genesicsemi.com/silicon-products/super-fast-recovery-rectifiers/
1

MUR30040CT相似产品对比

MUR30040CT MUR30060CT MUR30060CTR
描述 Silicon Super Fast Recovery Diode Silicon Super Fast Recovery Diode Silicon Super Fast Recovery Diode
是否无铅 不含铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合 符合
厂商名称 GeneSiC GeneSiC GeneSiC
包装说明 R-PUFM-X2 R-PUFM-X2 R-PUFM-X2
Reach Compliance Code compli compliant compliant
应用 SUPER FAST RECOVERY SUPER FAST RECOVERY SUPER FAST RECOVERY
外壳连接 CATHODE CATHODE ANODE
配置 COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS COMMON ANODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1.3 V 1.7 V 1.7 V
JESD-30 代码 R-PUFM-X2 R-PUFM-X2 R-PUFM-X2
最大非重复峰值正向电流 2750 A 2750 A 2750 A
元件数量 2 2 2
相数 1 1 1
端子数量 2 2 2
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C
最大输出电流 150 A 150 A 150 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
最大重复峰值反向电压 400 V 600 V 600 V
最大反向电流 25 µA 25 µA 25 µA
最大反向恢复时间 0.11 µs 0.15 µs 0.15 µs
表面贴装 NO NO NO
端子形式 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
端子位置 UPPER UPPER UPPER
Base Number Matches - 1 1

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