BPY 63 P
Silizium-Fotoelement
Silicon Photovoltaic Cell
BPY 63 P
Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale
q
Speziell geeignet für Anwendungen im
Bereich von 400 nm bis 1100 nm
q
Kathode = Chipunterseite
q
Mit feuchtigkeitsabweisender Schutzschicht
überzogen
q
Weiter Temperaturbereich
Anwendungen
q
für Meβ-, Steuer- und Regelzwecke
q
zur Abtastung von Lichtimpulsen
q
quantitative Lichtmessung im sichtbaren
Licht- und nahen Infrarotbereich
Features
q
Especially suitable for applications from
400 nm to 1100 nm
q
Cathode = back contact
q
Coated with a humidity-proof protective
layer
q
Wide temperature range
Applications
q
For control and drive circuits
q
Light pulse scanning
q
Quantitative light measurements in the
visible light and near infrared range
Typ
Type
BPY 63 P
Bestellnummer
Ordering Code
Q60215-Y63-S1
Semiconductor Group
193
10.95
fso06635
BPY 63 P
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Sperrspannung
Reverse voltage
Symbol
Symbol
Wert
Value
– 55 ... + 100
1
Einheit
Unit
°C
V
T
op
;
T
stg
V
R
Kennwerte
(
T
A
=
25
°C,
Normlicht A,
T
= 2856 K)
Characteristics
(
T
A
= 25
°C,
standard light A,
T
=
2856 K)
Bezeichnung
Description
Fotoempfindlichkeit,
V
R
= 0 V
Spectral sensitivity
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S
= 10
%
von
S
max
Spectral range of sensitivity
S
= 10
%
of
S
max
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Radiant sensitive area
Abmessungen der
bestrahlungsempfindlichen Fläche
Dimensions of radiant sensitive area
Halbwinkel
Half angle
Dunkelstrom,
V
R
=
1 V;
E
=
0
Dark current
Spektrale Fotoempfindlichkeit,
λ
= 850 nm
Spectral sensitivity
Quantenausbeute,
λ
= 850 nm
Quantum yield
Leerlaufspannung,
E
v
= 1000 Ix
Open-circuit voltage
Kurzschluβstrom,
E
v
= 1000 Ix
Short-circuit current
Symbol
Symbol
Wert
Value
0.65 (≥ 0.45)
830
400 ... 1100
Einheit
Unit
µA/Ix
nm
nm
S
λ
S max
λ
A
L
×
B
L
×
W
ϕ
94
9.69×9.69
mm
2
mm
±
60
10 (≤ 60)
0.5
0.72
430 (≥ 280)
0.65 (≥ 0.45)
Grad
deg.
µA
A/W
Electrons
Photon
mV
mA
I
R
S
λ
η
V
O
I
SC
Semiconductor Group
194
BPY 63 P
Kennwerte
(
T
A
=
25
°C,
Normlicht A,
T
= 2856 K)
Characteristics
(
T
A
= 25
°C,
standard light A,
T
=
2856 K)
Bezeichnung
Description
Anstiegs und Abfallzeit des Fotostromes
Rise and fall time of the photocurrent
R
L
=
1 kΩ;
V
R
=
1 V;
λ =
850 nm;
I
p
=
50
µA
Temperaturkoeffizient von
V
O
Temperature coefficient of
V
O
Temperaturkoeffizient von
I
SC
Temperature coefficient of
I
SC
Kapazität,
V
R
=
1 V,
f
=
1 MHz,
E
v
=
0 Ix
Capacitance
Symbol
Symbol
Wert
Value
11
Einheit
Unit
µs
t
r
,
t
f
TC
V
TC
I
C
0
– 2.6
0.2
8
mV/K
%/K
nF
Semiconductor Group
195
BPY 63 P
Relative spectral sensitivity
S
rel
=
f
(λ)
Open-circuit voltage
V
O
=
f
(E
v
)
Short-circuit current
I
SC
=
f
(E
v
)
Capacitance
C
=
f
(V
R
),
f
=
1 MHz,
E
= 0
Dark current
I
R
=
f
(T
A
),
V
R
= 1 V,
E
= 0
Dark current
I
R
=
f
(V
R
),
E
= 0
Directional characteristics
S
rel
=
f
(ϕ)
Semiconductor Group
196
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