BPX 90
BPX 90 F
Silizium-Fotodiode
Silicon Photodiode
BPX 90
BPX 90 F
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale
q
Speziell geeignet für Anwendungen im
Bereich von 400 nm bis 1100 nm (BPX 90)
und bei 950 nm (BPX 90 F)
q
Hohe Fotoempfindlichkeit
q
DIL-Plastikbauform mit hoher
Packungsdichte
Anwendungen
q
Industrieelektronik
q
“Messen/Steuern/Regeln”
Features
q
Especially suitable for applications from
400 nm to 1100 nm (BPX 90) and of 950 nm
(BPX 90 F)
q
High photosensitivity
q
DIL plastic package with high packing
density
Applications
q
Industrial electronics
q
For control and drive circuits
Typ
Type
BPX 90
BPX 90 F
Bestellnummer
Ordering Code
Q62702-P47
Q62702-P928
Semiconductor Group
1
01.97
feof6014
feo06014
BPX 90
BPX 90 F
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Löttemperatur (Lötstelle 2 mm vom
Gehäuse entfernt bei Lötzeit
t
≤
3 s)
Soldering temperature in 2 mm distance
from case bottom (
t
≤
3 s)
Sperrspannung
Reverse voltage
Verlustleistung,
T
A
= 25
°C
Total power dissipation
Symbol
Symbol
Wert
Value
– 40 ... + 80
230
Einheit
Unit
°C
°C
T
op
;
T
stg
T
S
V
R
P
tot
32
100
V
mW
Kennwerte
T
A
= 25
°C
Characteristics
Bezeichnung
Description
Fotoempfindlichkeit
Spectral sensitivity
V
R
= 5 V, Normlicht/standard light A,
T
= 2856 K,
V
R
= 5 V,
λ
= 950 nm,
E
e
= 1 mW/cm
2
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S
= 10 % von
S
max
Spectral range of sensitivity
S
= 10 % of
S
max
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Radiant sensitive area
Abmessung der bestrahlungsempfindlichen
Fläche
Dimensions of radiant sensitive area
Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseober-
fläche
Distance chip front to case surface
Symbol
Symbol
BPX 90
Wert
Value
BPX 90 F
Einheit
Unit
S
S
λ
S max
λ
45 (≥ 32)
–
830
–
26 (≥ 16)
950
nA/Ix
µA
nm
400 ... 1150 800 ... 1150 nm
A
L
×
B
L
×
W
H
5.5
1.75
×
3.15
5.5
1.75
×
3.15
mm
2
mm
×
mm
0.5
0.5
mm
Semiconductor Group
2
BPX 90
BPX 90 F
Kennwerte
T
A
= 25
°C
Characteristics
(cont’d)
Bezeichnung
Description
Halbwinkel
Half angle
Dunkelstrom,
V
R
= 10 V
Dark current
Spektrale Fotoempfindlichkeit,
λ
= 950 nm
Spectral sensitivity
Quantenausbeute,
λ
= 950 nm
Quantum yield
Leerlaufspannung
Open-circuit voltage
E
v
= 1000 Ix, Normlicht/standard light A,
T
= 2856 K
E
e
= 0.5 mW/cm
2
,
λ
= 950 nm
Kurzschlußstrom
Short-circuit current
E
v
= 1000 Ix, Normlicht/standard light A,
T
= 2856 K
E
e
= 0.5 mW/cm
2
,
λ
= 950 nm
Anstiegs- und Abfallzeit des Fotostromes
Rise and fall time of the photocurrent
R
L
= 1 kΩ;
V
R
= 5 V;
λ
= 850 nm;
I
p
= 30
µA
Durchlaßspannung,
I
F
= 80 mA,
E
= 0
Forward voltage
Kapazität,
V
R
= 0 V,
f
= 1 MHz,
E
= 0
Capacitance
Symbol
Symbol
BPX 90
ϕ
±
60
5 (≤ 180)
0.48
0.62
Wert
Value
BPX 90 F
±
60
5 (≤ 180)
0.48
0.62
Grad
deg.
nA
A/W
Electrons
Photon
Einheit
Unit
I
R
S
λ
η
V
O
V
O
450 (≥ 380)
–
–
400 (≥ 340)
mV
mV
I
SC
I
SC
t
r
,
t
f
45
–
1.3
–
13
1.3
µA
µA
µs
V
F
C
0
1.3
430
1.3
430
V
pF
Semiconductor Group
3
BPX 90
BPX 90 F
Kennwerte
T
A
= 25
°C
Characteristics
(cont’d)
Bezeichnung
Description
Temperaturkoeffizient von
V
O
Temperature coefficient of
V
O
Temperaturkoeffizient von
I
SC
Temperature coefficient of
I
SC
Normlicht/standard light A
λ
= 950 nm
Rauschäquivalente Strahlungsleistung
Noise equivalent power
V
R
= 10 V,
λ
= 950 nm
Nachweisgrenze,
V
R
= 10 V,
λ
= 950 nm
Detection limit
Symbol
Symbol
BPX 90
Wert
Value
BPX 90 F
– 2.6
mV/K
– 2.6
Einheit
Unit
TC
V
TC
I
TC
I
NEP
0.18
–
8
×
10
– 14
–
0.2
8
×
10
– 14
%/K
%/K
W
√Hz
cm ·
√Hz
W
D*
2.9
×
10
12
2.9
×
10
12
Directional characteristics
S
rel
=
f
(ϕ)
Semiconductor Group
4
BPX 90
BPX 90 F
Relative spectral sensitivity BPX 90
S
rel
=
f
(λ)
Relative spectral sensitivity BPX 90 F
S
rel
=
f
(λ)
Photocurrent
I
P
=
f
(E
v
),
V
R
= 5 V
Open-circuit volt. BPX 90
V
O
=
f
(E
v
)
Photocurrent
I
P
=
f
(E
e
),
V
R
= 5 V
Open-circuit-volt. BPX 90 F
V
O
=
f
(E
e
)
Total power dissipation
P
tot
=
f
(T
A
)
Dark current
I
R
=
f
(V
R
),
E
= 0
Capacitance
C
=
f
(V
R
),
f
= 1 MHz,
E
= 0
Dark current
I
R
=
f
(T
A
),
V
R
= 10 V,
E
= 0
Semiconductor Group
5
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