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Datasheet> 器件分类 > 半导体> 分立半导体> FDD8453LZ_F085

FDD8453LZ_F085: 产品描述50 A, 40 V, 0.0065 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252; 产品类别半导体分立半导体; 文件大小372KB，共7页; 制造商Fairchild; 官网地址http://www.fairchildsemi.com/

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FDD8453LZ_F085概述

50 A, 40 V, 0.0065 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252

50 A, 40 V, 0.0065 ohm, N沟道, 硅, POWER, 场效应管, TO-252

FDD8453LZ_F085规格参数

参数名称	属性值
最小击穿电压	40 V
端子数量	2
加工封装描述	ROHS COMPLIANT, DPAK-3
each_compli	Yes
欧盟RoHS规范	Yes
状态	Active
额定雪崩能量	88 mJ
壳体连接	DRAIN
结构	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
drain_current_max__abs___id_	75 A
最大漏电流	50 A
最大漏极导通电阻	0.0065 ohm
场效应晶体管技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
jedec_95_code	TO-252
jesd_30_code	R-PSSO-G2
moisture_sensitivity_level	NOT SPECIFIED
元件数量	1
操作模式	ENHANCEMENT MODE
最大工作温度	150 Cel
包装材料	PLASTIC/EPOXY
包装形状	RECTANGULAR
包装尺寸	SMALL OUTLINE
eak_reflow_temperature__cel_	NOT SPECIFIED
larity_channel_type	N-CHANNEL
wer_dissipation_max__abs_	65 W
sub_category	FET General Purpose Power
表面贴装	YES
端子涂层	NOT SPECIFIED
端子形式	GULL WING
端子位置	SINGLE
ime_peak_reflow_temperature_max__s_	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON

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