BPX 81
NPN-Silizium-Fototransistor
Silicon NPN Phototransistor
BPX 81
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale
q
Speziell geeignet für Anwendungen im
Bereich von 440 nm bis 1070 nm
q
Hohe Linearität
q
Einstellige Zeilenbauform aus klarem Epoxy
q
Gruppiert lieferbar
Anwendungen
q
Computer-Blitzlichtgeräte
q
Miniaturlichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
q
Industrieelektronik
q
“Messen/Steuern/Regeln”
Features
q
Especially suitable for applications from
440 nm to 1070 nm
q
High linearity
q
One-digit array package of transparent
epoxy
q
Available in groups
Applications
q
Computer-controlled flashes
q
Miniature photointerrupters
q
Industrial electronics
q
For control and drive circuits
Typ
Type
BPX 81
BPX 81-2
BPX 81-3
Bestellnummer
Ordering Code
Q62702-P20
Q62702-P43-S2
Q62702-P43-S3
Semiconductor Group
234
10.95
feo06021
BPX 81
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Löttemperatur bei Tauchlötung
Lötstelle
≥
2 mm vom Gehäuse,
Lötzeit
t
≤
3 s
Dip soldering temperature
≥
2 mm distance
from case bottom, soldering time
t
≤
3 s
Löttemperatur bei Kolbenlötung
Lötstelle
≥
2 mm vom Gehäuse,
Lötzeit
t
≤
5 s
Iron soldering temperature
≥
2 mm distance
from case bottom, soldering time
t
≤
5 s
Kollektor-Emitterspannung
Collector-emitter voltage
Kollektorstrom
Collector current
Kollektorspitzenstrom,
τ <
10
µs
Collector surge current
Verlustleistung,
T
A
= 25
°C
Total power dissipation
Wärmewiderstand
Thermal resistance
Symbol
Symbol
Wert
Value
– 40 ... + 80
230
Einheit
Unit
°C
°C
T
op
;
T
stg
T
S
T
S
300
°C
V
CE
I
C
I
CS
P
tot
R
thJA
32
50
200
90
750
V
mA
mA
mW
K/W
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C, λ
= 950 nm)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S
= 10 % von
S
max
Spectral range of sensitivity
S
= 10 % of
S
max
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Radiant sensitive area
Symbol
Symbol
λ
S max
λ
Wert
Value
850
440 ... 1070
Einheit
Unit
nm
nm
A
0.17
mm
2
Semiconductor Group
235
BPX 81
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C, λ
= 950 nm)
Characteristics
(cont’d)
Bezeichnung
Description
Abmessung der Chipfläche
Dimensions of chip area
Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseober-
fläche
Distance chip front to case surface
Halbwinkel
Half angle
Kapazität
Capacitance
V
CE
= 0 V,
f
= 1 MHz,
E
= 0
Dunkelstrom
Dark current
V
CE
= 25 V,
E
= 0
Symbol
Symbol
Wert
Value
0.6
×
0.6
1.3 ... 1.9
Einheit
Unit
mm
×
mm
mm
L
×
B
L
×
W
H
ϕ
±
18
6
Grad
deg.
pF
C
CE
I
CEO
25 (≤ 200)
nA
Die Fototransistoren werden nach ihrer Fotoempfindlichkeit gruppiert und mit arabischen
Ziffern gekennzeichnet.
The phototransistors are grouped according to their spectral sensitivity and distinguished
by arabian figures.
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
-2
Fotostrom,
λ =
950 nm
Photocurrent
E
e
= 0.5 mW/cm
2
,
V
CE
= 5 V
I
PCE
E
v
= 1000 Ix, Normlicht/standard light A,
I
PCE
V
CE
= 5 V
Anstiegszeit/Abfallzeit
Rise and fall time
I
C
= 1 mA,
V
CC
= 5 V,
R
L
= 1 kΩ
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Collector-emitter saturation voltage
I
C
=
I
PCEmin
1)
×
0.3
E
e
= 0.5 mW/cm
2
1)
1)
Wert
Value
-3
-4
Einheit
Unit
0.25 ... 0.50
1.4
5.5
0.40 ... 0.80
2.2
6
≥
0.63 mA
3.4
mA
8
µs
t
r
,
t
f
V
CEsat
150
150
150
mV
I
PCEmin
ist der minimale Fotostrom der jeweiligen Gruppe
I
PCEmin
is the min. photocurrent of the specified group
Semiconductor Group
236
BPX 81
Relative spectral sensitivity
S
rel
=
f
(λ)
Photocurrent
I
PCE
=
f
(E
e
),
V
CE
= 5 V
Total power dissipation
P
tot
=
f
(T
A
)
Photocurrent
I
PCE
/I
PCE25
o
=
f
(T
A
),
V
CE
= 5 V
Collector-emitter capacitance
C
CE
=
f
(V
CE
),
f
= 1 MHz,
E
= 0
Dark current
I
CEO
=
f
(V
CE
),
E
= 0
Directional characteristics
S
rel
=
f
(ϕ)
Semiconductor Group
237
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