BPX 65
BPX 66
Silizium-PIN-Fotodiode
Silicon PIN Photodiode
BPX 65
BPX 66
Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale
q
Speziell geeignet für Anwendungen im
Bereich von 350 nm bis 1100 nm
q
BPX 65: Hohe Fotoempfindlichkeit
q
BPX 66: Sperrstromarm (typ. 150 pA)
q
Hermetisch dichte Metallbauform (TO-18),
geeignet bis 125
o
C
1)
Anwendungen
q
schneller optischer Empfänger mit groβer
Modulationsbandbreite
Typ
Type
BPX 65
BPX 66
Bestellnummer
Ordering Code
Q62702-P27
Q62702-P80
Features
q
Especially suitable for applications from
350 nm to 1100 nm
q
BPX 65: high photosensitivity
q
BPX 66: low reverse current (typ. 150 pA)
q
Hermetically sealed metal package (TO-18),
suitable up to 125
o
C
1)
Applications
q
Fast optical sensor of high modulation
bandwidth
Gehäuse
Package
18 A3 DIN 41870, planes Glasfenster, hermetisch
dichtes Gehäuse, Lötspieβe im 2.54-mm-Raster
(
2
/
10
”), Anodenkennzeichnung: Nase am Gehäuse-
boden
18 A3 DIN 41870, flat glass lens, hermetically
sealed package, solder tabs 2.54 mm (
2
/
10
”) lead
spacing, anode marking: projection at package bot-
tom
1)
1)
Eine Abstimmung der Einsatzbedingungen mit dem Hersteller wird empfohlen bei
T
A
> 85
o
C
For operating conditions of
T
A
> 85
o
C please contact us.
Semiconductor Group
342
10.95
BPX 65
BPX 66
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Löttemperatur (Lötstelle 2 mm vom
Gehäuse entfernt bei Lötzeit
t
≤
3s)
Soldering temperature in 2 mm distance
from case bottom (t
≤
3s)
Sperrspannung
Reverse voltage
Verlustleistung,
T
A
= 25
o
C
Total power dissipation
Symbol
Symbol
T
op
;
T
stg
T
S
Wert
Value
–40 ... +80
230
Einheit
Unit
o
C
o
C
V
R
P
tot
50
250
V
mW
Kennwerte
(T
A
= 25
o
C, Normlicht A,
T
= 2856 K)
Characteristics
(T
A
= 25
o
C, standard light A,
T
= 2856 K)
Bezeichnung
Description
Fotoempfindlichkeit,
V
R
= 5 V
Spectral sensitivity
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S
= 10% von
S
max
Spectral range of sensitivity
S
= 10% of
S
max
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Radiant sensitive area
Abmessung der bestrahlungsempfindlichen
Fläche
Dimensions of radiant sensitive area
Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseober-
fläche
Distance chip front to case surface
Halbwinkel
Half angle
Symbol
Symbol
S
λ
S max
λ
Wert
Value
10 (≥ 5.5)
850
350 ... 1100
Einheit
Unit
nA/Ix
nm
nm
A
L
x
B
L
x
W
H
1.00
1x1
mm
2
mm
2.25 ... 2.55
mm
ϕ
±
40
Grad
deg.
Semiconductor Group
343
BPX 65
BPX 66
Kennwerte
(T
A
= 25
o
C, Normlicht A,
T
= 2856 K)
Characteristics
(T
A
= 25
o
C, standard light A,
T
= 2856 K)
Bezeichnung
Description
Dunkelstrom
Dark current
BPX 65:
V
R
= 20 V
BPX 66:
V
R
= 1 V
Spektrale Fotoempfindlichkeit,
λ
= 850 nm
Spectral sensitivity
Quantenausbeute,
λ
= 850 nm
Quantum yield
Leerlaufspannung,
E
v
= 1000 Ix
Open-circuit voltage
Kurzschluβstrom,
E
v
= 1000 Ix
Short-circuit current
Anstiegs und Abfallzeit des Fotostromes
Rise and fall time of the photocurrent
R
L
= 50
Ω;
V
R
= 5 V;
λ
= 850 nm;
I
p
= 800
µA
Durchlaβspannung,
I
F
= 100 mA,
E
= 0
Forward voltage
Kapazität,
V
R
= 0 V,
f
= 1 MHz,
E
= 0
Capacitance
Temperaturkoeffizient von
V
L
Temperature coefficient of
V
L
Temperaturkoeffizient von
I
K
Temperature coefficient of
I
K
Rauschäquivalente Strahlungsleistung
Noise equivalent power
V
R
= 20 V,
λ
= 850 nm
Nachweisgrenze,
V
R
= 20 V,
λ
= 850 nm
Detection limit
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
I
R
S
λ
η
V
L
I
K
t
r
,
t
f
1 (≤ 5)
0.15 (≤ 0.3)
0.55
0.80
320 (≥ 270)
10
12
nA
A/W
Electrons
Photon
mV
µA
ns
V
F
C
0
TC
V
TC
I
NEP
1.3
11
–2.6
0.2
3.3 x 10
–14
V
pF
mV/K
%/K
W
√Hz
cm ·
√Hz
W
D*
3.1 x 10
12
Semiconductor Group
344
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
电子工程世界
