BPX 48
BPX 48 F
Silizium-Differential-Fotodiode
Silicon Differential Photodiode
BPX 48
BPX 48 F
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale
q
Speziell geeignet für Anwendungen im
Bereich von 400 nm bis 1100 nm (BPX 48)
und bei 920 nm (BPX 48 F)
q
Hohe Fotoempfindlichkeit
q
DIL-Plastikbauform mit hoher
Packungsdichte
q
Doppeldiode mit extrem hoher
Gleichmäβigkeit
Anwendungen
q
Nachlaufsteuerung
q
Kantenführungen
q
Weg- bzw. Winkelabtastungen
q
Industrieelektronik
q
“Messen/Steuern/Regeln”
Features
q
Especially suitable for applications from
400 nm to 1100 nm (BPX 48) and of 920 nm
(BPX 48 F)
q
High photosensitivity
q
DIL plastic package with high packing
density
q
Double diode with extremely high
homogeneousness
Application
q
Follow-up control
q
Edge control
q
Path and angle scanning
q
Industrial electronics
q
For control and drive circuits
Semiconductor Group
348
10.95
feof6638
feo06638
BPX 48
BPX 48 F
Typ
Type
BPX 48
BPW 48 F
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description
Bestellnummer
Ordering Code
Q62702-P17-S1
Q62702-P305
Symbol
Symbol
Wert
Value
– 40 ... + 80
230
Einheit
Unit
°C
°C
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Löttemperatur (Lötstelle 2 mm vom
Gehäuse entfernt bei Lötzeit
t
≤
3 s)
Soldering temperature in 2 mm distance
from case bottom (
t
≤
3 s)
Sperrspannung
Reverse voltage
Verlustleistung,
T
A
= 25
°C
Total power dissipation
T
op
;
T
stg
T
S
V
R
P
tot
10
50
V
mW
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C)
für jede Einzeldiode
Characteristics
(
T
A
= 25
°C)
per single diode system
Bezeichnung
Description
Fotoempfindlichkeit
Spectral sensitivity
V
R
= 5 V, Normlicht/standard light A,
T
= 2856 K,
V
R
= 5 V,
λ
= 950 nm,
E
e
= 0.5 mW/cm
2
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S
= 10 % von
S
max
Spectral range of sensitivity
S
= 10 % of
S
max
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Radiant sensitive area
Symbol
Symbol
BPX 48
Wert
Value
BPX 48 F
Einheit
Unit
S
S
λ
S max
λ
24 (≥ 15)
–
900
–
7.5 (≥ 4.0)
920
nA/Ix
µA
nm
400 ... 1150 750 ... 1150 nm
A
1.54
1.54
mm
2
Semiconductor Group
349
BPX 48
BPX 48 F
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C)
für jede Einzeldiode
Characteristics
(
T
A
= 25
°C)
per single diode system
Bezeichnung
Description
Abmessung der bestrahlungsempfindlichen
Fläche
Dimensions of radiant sensitive area
Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseober-
fläche
Distance chip front to case surface
Halbwinkel
Half angle
Dunkelstrom,
V
R
= 10 V
Dark current
Spektrale Fotoempfindlichkeit
Spectral sensitivity
λ
= 850 nm
λ
= 950 nm
Max. Abweichung der Fotoempfindlichkeit
der Systeme vom Mittelwert
Max. deviation of the system spectral
sensitivity from the average
Quantenausbeute
Quantum yield
λ
= 850 nm
λ
= 950 nm
Leerlaufspannung
Open-circuit voltage
E
v
= 1000 Ix, Normlicht/standard light A,
T
= 2856 K
E
e
= 0.5 mW/cm
2
,
λ
= 950 nm
Kurzschlußstrom
Short-circuit current
E
v
= 1000 Ix, Normlicht/standard light A,
T
= 2856 K
E
e
= 0.5 mW/cm
2
, l = 950 nm
Anstiegs- und Abfallzeit des Fotostromes
Rise and fall time of the photocurrent
R
L
= 1 kΩ;
V
R
= 5 V;
λ
= 850 nm;
I
p
= 20
µA
Durchlaßspannung,
I
F
= 40 mA,
E
= 0
Forward voltage
Symbol
Symbol
BPX 48
Wert
Value
BPX 48 F
0.7
×
2.2
mm
0.7
×
2.2
Einheit
Unit
L
×
B
L
×
W
H
0.5
0.5
mm
ϕ
±
60
10 (≤ 100)
±
60
10 (≤ 100)
Grad
deg.
nA
I
R
S
λ
S
λ
∆
S
0.55
–
±
5
–
0.65
±
5
A/W
%
Electrons
Photon
η
0.8
–
–
0.95
V
O
V
O
330 (≥ 280)
–
–
300 (≥ 280)
mV
mV
I
SC
I
SC
t
r
,
t
f
24
–
500
–
7
500
µA
µA
ns
V
F
1.3
1.3
V
Semiconductor Group
350
BPX 48
BPX 48 F
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C)
für jede Einzeldiode
Characteristics
(
T
A
= 25
°C)
per single diode system
Bezeichnung
Description
Kapazität,
V
R
= 0 V,
f
= 1 MHz,
E
= 0
Capacitance
Temperaturkoeffizient von
V
O
Temperature coefficient of
V
O
Temperaturkoeffizient von
I
SC
Temperature coefficient of
I
SC
Normlicht/standard light A
λ
= 950 nm
Rauschäquivalente Strahlungsleistung
Noise equivalent power
V
R
= 10 V,
λ
= 950 nm
Nachweisgrenze,
V
R
= 10 V,
λ
= 950 nm
Detection limit
Symbol
Symbol
BPX 48
Wert
Value
BPX 48 F
25
– 2.6
pF
mV/K
25
– 2.6
Einheit
Unit
C
0
TC
V
TC
I
TC
I
NEP
0.18
–
1.0
×
10
–13
–
0.2
1.0
×
10
–13
%/K
%/K
W
√Hz
cm ·
√Hz
W
D*
1.2
×
10
12
1.2
×
10
12
Directional characteristics
S
rel
=
f
(ϕ)
Semiconductor Group
351
BPX 48
BPX 48 F
Relative spectral sensitivity BPX 48
S
rel
=
f
(λ)
Relative spectral sensitivity BPX 48 F
S
rel
=
f
(λ)
Photocurrent
I
P
=
f
(E
v
),
V
R
= 5 V
Open-circuit-voltage
V
O
=
f
(E
v
)
BPX 48
Photocurrent
I
P
=
f
(E
e
),
V
R
= 5 V
Open-circuit-voltage
V
O
=
f
(E
e
)
BPX 48 F
Total power dissipation
P
tot
=
f
(T
A
)
Dark current
I
R
=
f
(V
R
),
E
= 0
Capacitance
C
=
f
(V
R
),
f
= 1 MHz,
E
= 0
Dark current
I
R
=
f
(T
A
),
V
R
= 10 V
Semiconductor Group
352
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