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MMBD7000

产品描述0.2 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小342KB,共2页
制造商GSME Electronics
官网地址Http://www.gsme.com.cn
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MMBD7000概述

0.2 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE

0.2 A, 100 V, 硅, 信号二极管

MMBD7000规格参数

参数名称属性值
端子数量3
加工封装描述SOT-23, 3 PIN
状态CONSULT MFR
包装形状矩形的
包装尺寸SMALL OUTLINE
表面贴装Yes
端子形式GULL WING
端子位置
包装材料塑料/环氧树脂
二极管元件材料
二极管类型信号二极管
反向恢复时间最大0.0040 us
最大重复峰值反向电压100 V
最大平均正向电流0.2000 A

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桂林斯壯微電子有限責任公司
Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.
MMBD7000
SWITCHING DIODE
開關二極管
FEATURES
特點
Characteristic
特性參數
Power dissipation
耗散功率
Forward Current
正向電流
Reverse Voltage
反向電壓
Junction and Storage Temperature
結溫和儲藏溫度
DEVICE
Symbol
符號
P
D
(Ta=25
)
I
F
V
R
T
J
,
T
stg
Max
最大值
225
200
100
Unit
單½
mW
mA
V
-55to+150
MARKING
打標
MMBD7000=M5C
MMBD7000=
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
電特性
(T
A
=
25
unless otherwise noted
如無特殊说明,溫度爲
25℃
)
Characteristic
特性參數
Reverse Breakdown Voltage
反向擊穿電壓
(I
R
=100uA)
Reverse Leakage Current
反向漏電流
(V
R
=50V)
(V
R
=100V)
Forward Voltage(Test Condition)正向電壓
I
F
=1mA
I
F
=10mA
I
F
=100mA
Diode Capacitance
二極體電容
(V
R
=0V, f=1MHz)
Reverse Recovery Time
反向恢復時間
SOT-23
内部结构
Symbol
符號
V
(BR)
I
R
Min
最小值
100
Max
最大值
1
3
700
820
1100
1.5
4
Unit
單½
V
uA
V
F
550
670
750
mV
C
D
Trr
pF
nS
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