Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter
NEU: in SMT und als Reverse Gullwing
Silicon PIN Photodiode with Daylight Filter
NEW: in SMT and as Reverse Gullwing
5.4
4.9
4.5
4.3
BPW 34 F
BPW 34 FS
BPW 34 FS (E9087)
feo06075
0.6
0.4
1.2
0.7
0.8
0.6
Cathode marking
4.0
3.7
Chip position
0.6
0.4
0.8
0.6
0.5
0.3
0.35
0.2
0.6
0.4
0 ... 5˚
5.08 mm
spacing
Photosensitive area
2.65 mm x 2.65 mm
GEO06643
3.5
3.0
0.6
0.4
2.2
1.9
BPW 34 F
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale
q
Speziell geeignet für Anwendungen
bei 950 nm
q
kurze Schaltzeit (typ. 20 ns)
q
DIL-Plastikbauform mit hoher
Packungsdichte
q
BPW 34 FS/(E9087); geeignet für
Vapor-Phase Löten und IR-Reflow Löten
Anwendungen
q
IR-Fernsteuerung von Fernseh- und
Rundfunkgeräten, Videorecordern,
Gerätefernsteuerungen
q
Lichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
1.8
1.4
Approx. weight 0.1 g
Features
q
Especially suitable for applications
of 950 nm
q
Short switching time (typ. 20 ns)
q
DIL plastic package with high packing density
q
BPW 34 FS/(E9087); suitable for vapor-
phase and IR-reflow soldering
Applications
q
IR remote control of hi-fi and TV sets,
video tape recorders, remote controls of
various equipment
q
Photointerrupters
Semiconductor Group
1
1998-08-27
BPW 34 F, BPW 34 FS
BPW 34 FS (E9087)
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Sperrspannung
Reverse voltage
Verlustleistung,
T
A
= 25
°C
Total power dissipation
Symbol
Symbol
Wert
Value
– 40 ... + 85
32
150
Einheit
Unit
°C
V
mW
T
op
;
T
stg
V
R
P
tot
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C, λ
= 950 nm)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Fotoempfindlichkeit
Spectral sensitivity
V
R
= 5 V,
E
e
= 1 mW/cm
2
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S
= 10 % von
S
max
Spectral range of sensitivity
S
= 10 % of
S
max
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Radiant sensitive area
Abmessung der bestrahlungsempfindlichen
Fläche
Dimensions of radiant sensitive area
Halbwinkel
Half angle
Dunkelstrom,
V
R
= 10 V
Dark current
Spektrale Fotoempfindlichkeit
Spectral sensitivity
Quantenausbeute
Quantum yield
Leerlaufspannung,
E
e
= 0.5 mW/cm
2
Open-circuit voltage
Symbol
Symbol
Wert
Value
50 (≥ 40)
Einheit
Unit
µA
S
λ
S max
λ
950
780 ... 1100
nm
nm
A
L
×
B
L
×
W
ϕ
7.00
2.65
×
2.65
mm
2
mm
×
mm
±
60
2 (≤ 30)
0.59
0.77
330 (≥ 275)
Grad
deg.
nA
A/W
Electrons
Photon
mV
I
R
S
λ
η
V
O
Semiconductor Group
3
1998-08-27
BPW 34 F, BPW 34 FS
BPW 34 FS (E9087)
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C, λ
= 950 nm)
Characteristics
(cont’d)
Bezeichnung
Description
Kurzschlußstrom,
E
e
= 0.5 mW/cm
2
Short-circuit current
Anstiegs- und Abfallzeit des Fotostromes
Rise and fall time of the photocurrent
R
L
= 50
Ω;
V
R
= 5 V;
λ
= 850 nm;
I
p
= 800
µA
Durchlaßspannung,
I
F
= 100 mA,
E
= 0
Forward voltage
Kapazität,
V
R
= 0 V,
f
= 1 MHz,
E
= 0
Capacitance
Temperaturkoeffizient von
V
O
Temperature coefficient of
V
O
Temperaturkoeffizient von
I
SC
Temperature coefficient of
I
SC
Rauschäquivalente Strahlungsleistung
Noise equivalent power
V
R
= 10 V
Nachweisgrenze,
V
R
= 10 V
Detection limit
Symbol
Symbol
Wert
Value
25
20
Einheit
Unit
µA
ns
I
SC
t
r
,
t
f
V
F
C
0
TC
V
TC
I
NEP
1.3
72
– 2.6
0.18
4.3
×
10
– 14
V
pF
mV/K
%/K
W
√Hz
cm ·
√Hz
W
D*
6.2
×
10
12
Semiconductor Group
4
1998-08-27
嵌入式系统
京公网安备 11010802033920号
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