WS512K32-45G1UQA,WS512K32-45G1UQA pdf中文资料,WS512K32-45G1UQA引脚图,WS512K32-45G1UQA电路-Datasheet-电子工程世界

WS512K32-45G1UQA: 产品描述SRAM Module, 512KX32, 45ns, CMOS, CQFP68, 23.90 X 23.90 MM, 3.57 MM HEIGHT, HERMETIC SEALED, CERAMIC, QFP-68; 产品类别存储存储; 文件大小486KB，共13页; 制造商Microsemi; 官网地址https://www.microsemi.com

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WS512K32-45G1UQA概述

SRAM Module, 512KX32, 45ns, CMOS, CQFP68, 23.90 X 23.90 MM, 3.57 MM HEIGHT, HERMETIC SEALED, CERAMIC, QFP-68

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
Objectid	1923605561
包装说明	23.90 X 23.90 MM, 3.57 MM HEIGHT, HERMETIC SEALED, CERAMIC, QFP-68
Reach Compliance Code	unknown
最长访问时间	45 ns
其他特性	IT CAN ALSO BE CONFIGURED AS 2M X 8
备用内存宽度	16
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	S-CQFP-G68
长度	23.88 mm
内存密度	16777216 bit
内存集成电路类型	SRAM MODULE
内存宽度	32
功能数量	1
端子数量	68
字数	524288 words
字数代码	512000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
组织	512KX32
输出特性	3-STATE
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码	QFP
封装等效代码	QFP68,.99SQ,50
封装形状	SQUARE
封装形式	FLATPACK
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
筛选级别	MIL-STD-883
座面最大高度	3.56 mm
最大待机电流	0.028 A
最小待机电流	2 V
最大压摆率	0.66 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	MILITARY
端子形式	GULL WING
端子节距	1.27 mm
端子位置	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	23.88 mm

器件捷径: L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ

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