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JANHCB2N2221A

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, DIE-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小859KB,共38页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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JANHCB2N2221A概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, DIE-3

JANHCB2N2221A规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
Objectid2078544795
零件包装代码DIE
包装说明DIE-3
针数3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)0.8 A
集电极-发射极最大电压50 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)40
JESD-30 代码S-XUUC-N2
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状SQUARE
封装形式UNCASED CHIP
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)0.5 W
认证状态Qualified
参考标准MIL-19500/255T
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式NO LEAD
端子位置UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)250 MHz
最大关闭时间(toff)300 ns
最大开启时间(吨)35 ns
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