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PTMB75B12C_15

产品描述IGBT
文件大小191KB,共3页
制造商Nihon Inter Electronics Corporation
官网地址http://www.niec.co.jp
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PTMB75B12C_15概述

IGBT

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IGBT
M½½½½½-S½½-P½½½
□ 回 路 図 :
CIRCUIT
75
A,
1200V
PTMB75B12C
□ 外 ½ 寸 法 図 :
OUTLINE DRAWING
99.00
94.50
4× 19.05= 76.20
CL
12.62
3.81 19.05
19
18
17
16
15
14
4× Ø5.50
21
19
20
1
2
13
61.50
58.42
50.00
40.20
19.05
3.81
CL
20
17
15
21
1 2
3 4
5 6
7 8
9 10
11 12
13
3
4
7
8
11
12
14
3.81
15.24
8.01
110.00
121.50
118.11
20.50
LABEL
15.50
17.00
119.60
13.00
7.00
12.62
5
6
9
10
4× Ø2.10
39.00
57.50
Dimension:[mm½
□ 最 大 定 格 :
MAXIMUM
コレクタ・エミッタ間電圧
Collector-Emitter Voltage
ゲ ー ト・エ ミ ッ タ 間 電 圧
Gate-Emitter Voltage
コ レ ク タ 電 流
Collector Current
コ レ ク タ 損 失
Collector Power Dissipation
Junction Temperature Range
Storage Temperature Range
圧(Terminal to Base AC,1½inute)
Isolation Voltage
Module Base to Heatsink
締 め 付 け ト ル ク
Mounting Torque
Busbar to Main Terminal
□ 電 気 的 特 性
DC
1½½
RATINGS
(T
=25℃)
S½½½½½
CES
GES
CP
½
½½½
ISO
½½½
R½½½½ V½½½½
1,200
±20
75
150
400
-40½+150
-40½+125
2,500
3(30.6)
U½½½
(RMS)
N・½
(kgf½cm)
I½½½
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
=25℃)
S½½½½½
CES
GES
CE(½½½)
GE(½½)
½½½
上 昇 時 間
ターンオン時間
下 降 時 間
ターンオフ時間
Rise
Turn-on
Fall
Turn-off
Time
Time
Time
Time
½
½
½
½½
½
½
½
½½½
T½½½ C½½½½½½½½
CE
= 1200V,V
GE
= 0V
GE
= ±20V,V
CE
= 0V
= 75A,V
GE
= 15V
CE
= 5V,I
= 75mA
CE
= 10V,V
GE
= 0V,½= 1MH
CC
= 600V
L
= 8Ω
G
= 13Ω
GE
= ±15V
M½½.
T½½.
1.9
6,300
0.25
0.40
0.25
0.80
M½½.
2.0
1.0
2.4
0.45
0.70
0.35
1.10
U½½½
½A
μA
½F
C½½½½½½½½½½½½½
コ レ ク タ 遮 断 電 流
Collector-Emitter Cut-Off Current
ゲ ー ト 漏 れ 電 流
Gate-Emitter Leakage Current
コレクタ・エミッタ間½和電圧
Collector-Emitter Saturation Voltage
ゲ ー ト し き い 値 電 圧
Gate-Emitter Threshold Voltage
Input Capacitance
スイッチング時間
Switching Time
μ½
□フリーホイーリングダイオードの 特 性:
FREE
I½½½
Forward Current
C½½½½½½½½½½½½½
Peak Forward Voltage
逆 回 復 時 間
Reverse Recovery Time
□ 熱 的
特 性
WHEELING DIODE RATINGS & CHARACTERISTICS
(T
=25℃)
S½½½½½
FM
S½½½½½
½
½½
R½½½½ V½½½½
75
150
T½½½ C½½½½½½½½
= 75A,V
GE
= 0V
= 75A,V
GE
= -10V
½i/½t= 150A/μs
M½½.
T½½.
1.9
0.2
M½½.
2.4
0.3
U½½½
DC
1½½
U½½½
μ½
THERMAL CHARACTERISTICS
S½½½½½
Rth(j-c)
T½½½ C½½½½½½½½
Junction to Case
M½½.
T½½.
M½½.
0.33
0.9
U½½½
℃/W
C½½½½½½½½½½½½½
IGBT
Thermal Impedance
Diode
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