IGBT
M½½½½½-S½½-P½½½
□ 回 路 図 :
CIRCUIT
75
A,
1200V
PTMB75B12C
□ 外 ½ 寸 法 図 :
OUTLINE DRAWING
99.00
94.50
4× 19.05= 76.20
CL
12.62
3.81 19.05
19
18
17
16
15
14
4× Ø5.50
21
19
20
1
2
13
61.50
58.42
50.00
40.20
19.05
3.81
CL
20
17
15
21
1 2
3 4
5 6
7 8
9 10
11 12
13
3
4
7
8
11
12
14
3.81
15.24
8.01
110.00
121.50
118.11
20.50
LABEL
15.50
17.00
119.60
13.00
7.00
12.62
5
6
9
10
4× Ø2.10
39.00
57.50
Dimension:[mm½
□ 最 大 定 格 :
MAXIMUM
コレクタ・エミッタ間電圧
Collector-Emitter Voltage
ゲ ー ト・エ ミ ッ タ 間 電 圧
Gate-Emitter Voltage
コ レ ク タ 電 流
Collector Current
コ レ ク タ 損 失
Collector Power Dissipation
接
合
温
度
Junction Temperature Range
保
存
温
度
Storage Temperature Range
絶
縁
耐
圧(Terminal to Base AC,1½inute)
Isolation Voltage
Module Base to Heatsink
締 め 付 け ト ル ク
Mounting Torque
Busbar to Main Terminal
□ 電 気 的 特 性
DC
1½½
RATINGS
(T
C
=25℃)
S½½½½½
V
CES
V
GES
I
C
I
CP
P
C
T
½
T
½½½
V
ISO
F
½½½
R½½½½ V½½½½
1,200
±20
75
150
400
-40½+150
-40½+125
2,500
3(30.6)
-
U½½½
V
V
A
W
℃
℃
V
(RMS)
N・½
(kgf½cm)
I½½½
:
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
C
=25℃)
S½½½½½
I
CES
I
GES
V
CE(½½½)
V
GE(½½)
C
½½½
上 昇 時 間
ターンオン時間
下 降 時 間
ターンオフ時間
Rise
Turn-on
Fall
Turn-off
Time
Time
Time
Time
½
½
½
½½
½
½
½
½½½
T½½½ C½½½½½½½½
V
CE
= 1200V,V
GE
= 0V
V
GE
= ±20V,V
CE
= 0V
I
C
= 75A,V
GE
= 15V
V
CE
= 5V,I
C
= 75mA
V
CE
= 10V,V
GE
= 0V,½= 1MH
Z
V
CC
= 600V
R
L
= 8Ω
R
G
= 13Ω
V
GE
= ±15V
M½½.
-
-
-
4
-
-
-
-
-
T½½.
-
-
1.9
-
6,300
0.25
0.40
0.25
0.80
M½½.
2.0
1.0
2.4
8
-
0.45
0.70
0.35
1.10
U½½½
½A
μA
V
V
½F
C½½½½½½½½½½½½½
コ レ ク タ 遮 断 電 流
Collector-Emitter Cut-Off Current
ゲ ー ト 漏 れ 電 流
Gate-Emitter Leakage Current
コレクタ・エミッタ間½和電圧
Collector-Emitter Saturation Voltage
ゲ ー ト し き い 値 電 圧
Gate-Emitter Threshold Voltage
入
力
容
量
Input Capacitance
スイッチング時間
Switching Time
μ½
□フリーホイーリングダイオードの 特 性:
FREE
I½½½
順
電
流
Forward Current
C½½½½½½½½½½½½½
順
電
圧
Peak Forward Voltage
逆 回 復 時 間
Reverse Recovery Time
□ 熱 的
特 性
WHEELING DIODE RATINGS & CHARACTERISTICS
(T
C
=25℃)
S½½½½½
I
F
I
FM
S½½½½½
V
F
½
½½
R½½½½ V½½½½
75
150
T½½½ C½½½½½½½½
I
F
= 75A,V
GE
= 0V
I
F
= 75A,V
GE
= -10V
½i/½t= 150A/μs
M½½.
-
-
T½½.
1.9
0.2
M½½.
2.4
0.3
U½½½
A
DC
1½½
U½½½
V
μ½
:
THERMAL CHARACTERISTICS
S½½½½½
Rth(j-c)
T½½½ C½½½½½½½½
Junction to Case
M½½.
-
-
T½½.
-
-
M½½.
0.33
0.9
U½½½
℃/W
C½½½½½½½½½½½½½
熱
抵
抗
IGBT
Thermal Impedance
Diode
日本インター株式会社
PTMB75B12C
Fig.1- Output Characteristics
(Typical)
150
Fig.2- Collector to Emitter On Voltage
vs. Gate to Emitter Voltage
(Typical)
T
C
=25℃
16
T
C
=25℃
I
C
=30A
150A
V
GE
=20V
15V
125
12V
10V
Collector to Emitter Voltage V
CE
(V)
14
12
10
8
6
4
2
0
75A
Collector Current I
C
(A)
100
9V
75
50
8V
25
7V
0
0
2
4
6
8
10
0
4
8
12
16
20
Collector to Emitter Voltage V
CE
(V)
Gate to Emitter Voltage V
GE
(V)
Fig.3- Collector to Emitter On Voltage
vs. Gate to Emitter Voltage
(Typical)
16
Fig.4- Gate Charge vs. Collector to Emitter Voltage
(Typical)
800
700
600
500
400
16
T
C
=125℃
I
C
=30A
150A
Collector to Emitter Voltage V
CE
(V)
Collector to Emitter Voltage V
CE
(V)
14
R
L
=8Ω
T
C
=25℃
14
Gate to Emitter Voltage V
GE
(V)
75A
12
10
8
6
4
2
0
12
10
8
V
CE
=600V
300
6
400V
200
100
0
0
100
200
300
400
500
600
200V
4
2
0
0
4
8
12
16
20
Gate to Emitter Voltage V
GE
(V)
Total Gate Charge Qg
(nC)
Fig.5- Capacitance vs. Collector to Emitter Voltage
(Typical)
50000
20000
10000
Fig.6- Collector Current vs. Switching Time
(Typical)
1.6
1.4
1.2
V
GE
=0V
f=1MH
Z
T
C
=25℃
Cies
V
CC
=600V
R
G
=13Ω
V
GE
=±15V
T
C
=25℃
Switching Time t
(μs)
Capacitance C
(pF)
5000
2000
1000
500
200
100
50
20
t
OFF
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
25
50
75
Coes
t
f
Cres
t
ON
t
r
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
100
200
Collector to Emitter Voltage V
CE
(V)
Collector Current I
C
(A)
日本インター株式会社
PTMB75B12C
Fig.8- Forward Characteristics of Free Wheeling Diode
Fig.7- Series Gate Impedance vs. Switching Time
(Typical)
10
5
(Typical)
150
V
CC
=600V
I
C
=75A
V
GE
=±15V
T
C
=25℃
T
C
=25℃
T
C
=125℃
toff
125
Switching Time t
(μs)
Forward Current I
F
(A)
2
1
0.5
ton
tr
100
75
tf
0.2
0.1
0.05
50
25
0.02
5
10
20
50
100
200
0
0
1
2
3
4
Series Gate Impedance R
G
(Ω)
Forward Voltage V
F
(V)
Fig.9- Reverse Recovery Characteristics
(Typical)
500
500
Fig.10- Reverse Bias Safe Operating Area
R
G
=13Ω
V
GE
=±15V
T
C
≦125℃
Peak Reverse Recovery Current I
RrM
(A)
Reverse Recovery Time trr
(ns)
I
F
=75A
T
C
=25℃
200
200
100
trr
50
Collector Current I
C
(A)
I
RrM
0
150
300
450
100
50
20
10
5
2
1
0.5
0.2
0.1
0
400
800
1200
1600
20
10
5
2
1
-di/dt
(A/μs)
Collector to Emitter Voltage V
CE
(V)
fig11-Tansient Thermal Impedance
5
Tansient Thermal Impedance Rth
(J-C)
(゚C/W)
2
1
5x10
2x10
-1
FRD
IGBT
-1
-1
1x10
5x10
2x10
1x10
-2
-2
-2
Tc=25℃
1 Shot Pulse
5x10
-3
2x10
-3
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
10
1
Time t
(s)
日本インター株式会社