BC808-25: 产品描述800 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB; 产品类别半导体分立半导体; 文件大小909KB，共4页; 制造商KEXIN; 官网地址http://www.kexin.com.cn/html/index.htm

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BC808-25概述

800 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB

800 mA, 25 V, PNP, 硅, 小信号晶体管, TO-236AB

BC808-25规格参数

参数名称	属性值
端子数量	3
晶体管极性	PNP
最大集电极电流	0.8000 A
最大集电极发射极电压	25 V
加工封装描述	塑料 PACKAGE-3
无铅	Yes
欧盟RoHS规范	Yes
中国RoHS规范	Yes
状态	DISCONTINUED
包装形状	矩形的
包装尺寸	SMALL OUTLINE
表面贴装	Yes
端子形式	GULL WING
端子涂层	MATTE 锡
端子位置	双
包装材料	塑料/环氧树脂
结构	单一的
元件数量	1
晶体管应用	开关
晶体管元件材料	硅
晶体管类型	通用小信号
最小直流放大倍数	250
额定交叉频率	100 MHz

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SMD Type

PNP Transistors

BC808

(KC808)

SOT-23

+0.1

2.9

-0.1

+0.1

0.4

-0.1

Transistors

Unit: mm

+0.1

2.4

-0.1

High collector current.

High current gain.

Low collector-emitter saturation voltage.

+0.1

1.3

-0.1

Features

0.95

+0.1

-0.1

+0.1

1.9

-0.1

0.55

0.4

+0.05

0.1

-0.01

+0.1

0.97

-0.1

●

Complementary NPN type available(BC818)

1.Base

2.Emitter

+0.1

0.38

-0.1

0-0.1

3.collector

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Collector-base v oltage

Collector-emitter v oltage

Emitter-base voltage

Collector current (DC)

Power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

Symbol

CBO

CEO

EBO

stg

Rating

-30

-25

-5

-800

300

150

-65 to +150

Unit

Electrical Characteristics Ta = 25

Parameter

Collector-to-baser breakdown voltage

Collector-to-emitter breakdown voltage

Emitter-to-base breakdown voltage

Collector cutoff current

Emitter cutoff current

DC current gain *

Collector saturation voltage *

Base emitter on voltage

Output Capacitance

Transition frequency

* Pulsed: PW

350 us,duty cycle

Symbol

CBO

CEO

EBO

CBO

EBO

CE(sat)

BE(on)

Testconditiions

= -100u A,V

= 0

= -10 mA, I

= 0

= -100u A, I

= 0

= -25 V, V

= 0

= -4 V, I

= 0

= -100 mA, V

= -1 V

= -300 mA, V

= -1 V

= -500 mA, I

= -50 mA

=-1V,I

=300mA

=-10V,f=1MHz

= -10 mA, V

= -5 V, f = 50 MHz

100

-0.7

-1.2

MHz

Min

-30

-25

-5

-100

630

Typ

Max

Unit

Marking

NO.

BC808-16

BC808-25

BC808-40

Marking

hFE

100

250

160

400

250

630

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BC808-25相似产品对比

	BC808-25	BC808-40	BC808_15
描述	800 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB	800 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB	800 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
端子数量	3	3	3
晶体管极性	PNP	PNP	PNP
最大集电极电流	0.8000 A	0.8000 A	0.8000 A
最大集电极发射极电压	25 V	25 V	25 V
加工封装描述	塑料 PACKAGE-3	塑料 PACKAGE-3	塑料 PACKAGE-3
无铅	Yes	Yes	Yes
欧盟RoHS规范	Yes	Yes	Yes
中国RoHS规范	Yes	Yes	Yes
状态	DISCONTINUED	DISCONTINUED	DISCONTINUED
包装形状	矩形的	矩形的	矩形的
包装尺寸	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
表面贴装	Yes	Yes	Yes
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子涂层	MATTE 锡	MATTE 锡	MATTE 锡
端子位置	双	双	双
包装材料	塑料/环氧树脂	塑料/环氧树脂	塑料/环氧树脂
结构	单一的	单一的	单一的
元件数量	1	1	1
晶体管应用	开关	开关	开关
晶体管元件材料	硅	硅	硅
晶体管类型	通用小信号	通用小信号	通用小信号
最小直流放大倍数	250	250	250
额定交叉频率	100 MHz	100 MHz	100 MHz

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