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MMBT2907

产品描述600 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小116KB,共2页
制造商MAKO
官网地址http://www.makosemi.hk
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MMBT2907概述

600 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB

600 mA, 40 V, PNP, 硅, 小信号晶体管, TO-236AB

MMBT2907规格参数

参数名称属性值
端子数量3
晶体管极性PNP
最大集电极电流0.6000 A
最大集电极发射极电压40 V
加工封装描述SOT-23, 3 PIN
状态DISCONTINUED
包装形状矩形的
包装尺寸SMALL OUTLINE
表面贴装Yes
端子形式GULL WING
端子位置
包装材料塑料/环氧树脂
结构单一的
元件数量1
晶体管元件材料
晶体管类型通用小信号

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Plastic-Encapsulate Transistors
FEATURES
Epitaxial planar die construction.
Ideal for medium power amplification and switching.
MMBT2907
(PNP)
MAXIMUM RATINGS (TA=25
unless otherwise noted)
Parameter
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current -Continuous
Collector Power Dissipation
Thermal Resistance Junction to Ambient
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
Value
-60
-40
-5
-600
350
360
150
-55 to +150
Unit
V
V
V
mA
mW
1. BASE
2. EMITTER
3. COLLECTO
SOT-23
P
C
R
θJA
T
J
Tstg
Junction Temperature
Storage Temperature
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25
unless otherwise specified)
Parameter
Collector-base
Collector-emitter
Emitter-base
breakdown
voltage
voltage
Symbol
VCBO
VCEO
VEBO
ICBO
ICEX
Test conditions
IC=-10μA IE=0
IC=-10mA IB=0
IE=-10μA IC=0
VCB=-50V IE=0
VCE=-30V VBE(OFF)=-0.5V
VCE=-10V IC=-150mA
VCE=-10V IC=-0.1Ma
Min
-60
-40
-5
Typ
Max
Unit
V
V
μV
breakdown
breakdown
voltage
Collector cut-off current
Collector cut-off current
-0.02
-0.05
100
35
50
75
30
-0.4
-1.6
-1.3
-2.6
8.0
30
300
μA
μA
DC current gain
hFE
VCE=-10V IC=-1mA
VCE=-10V IC=-10mA
VCE=-10V IC=-500mA
Collector-emitter
saturation
voltage
VCE(sat)
IC=-150mA IB=-15mA
IC=-500mA IB=-50mA
V
Base-emitter
saturation
voltage
VBE(sat)
IC=-150mA IB=-15mA
IC=-500mA IB=-50mA
V
pF
pF
Output capacitance
Input capacitance
Cob
Cib
VCB=10V
,f=1.0MHz
VEB=10V
,f=1.0MHz
VCE=-20V IC=-50mA
Transition
frequency
fT
f=100MHz
200
MHz
MAKO Semiconductor Co., Limited 4008-378-873 http://www.makosemi.hk/
Page:P2-P1

MMBT2907相似产品对比

MMBT2907 MMBT2369
描述 600 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
端子数量 3 3
晶体管极性 PNP NPN
最大集电极发射极电压 40 V 15 V
状态 DISCONTINUED TRANSFERRED
包装形状 矩形的 矩形的
包装尺寸 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
表面贴装 Yes Yes
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置
包装材料 塑料/环氧树脂 塑料/环氧树脂
结构 单一的 单一的
元件数量 1 1
晶体管元件材料
晶体管类型 通用小信号 通用小信号
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