Standard SRAM, 16KX4, 35ns, CMOS, CDIP22,
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
Objectid | 101197715 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
最长访问时间 | 35 ns |
I/O 类型 | COMMON |
JESD-30 代码 | R-XDIP-T22 |
JESD-609代码 | e0 |
内存密度 | 65536 bit |
内存集成电路类型 | STANDARD SRAM |
内存宽度 | 4 |
端子数量 | 22 |
字数 | 16384 words |
字数代码 | 16000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 70 °C |
最低工作温度 | |
组织 | 16KX4 |
输出特性 | 3-STATE |
封装主体材料 | CERAMIC |
封装代码 | DIP |
封装等效代码 | DIP22,.3 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE |
并行/串行 | PARALLEL |
电源 | 5 V |
认证状态 | Not Qualified |
最大待机电流 | 0.01 A |
最小待机电流 | 4.5 V |
最大压摆率 | 0.06 mA |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
表面贴装 | NO |
技术 | CMOS |
温度等级 | COMMERCIAL |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子节距 | 2.54 mm |
端子位置 | DUAL |
GM76C164C-35 | GM76C164-35 | |
---|---|---|
描述 | Standard SRAM, 16KX4, 35ns, CMOS, CDIP22, | Standard SRAM, 16KX4, 35ns, CMOS, PDIP22, |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 |
Reach Compliance Code | unknown | unknown |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
最长访问时间 | 35 ns | 35 ns |
I/O 类型 | COMMON | COMMON |
JESD-30 代码 | R-XDIP-T22 | R-PDIP-T22 |
JESD-609代码 | e0 | e0 |
内存密度 | 65536 bit | 65536 bit |
内存集成电路类型 | STANDARD SRAM | STANDARD SRAM |
内存宽度 | 4 | 4 |
端子数量 | 22 | 22 |
字数 | 16384 words | 16384 words |
字数代码 | 16000 | 16000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 70 °C | 70 °C |
组织 | 16KX4 | 16KX4 |
输出特性 | 3-STATE | 3-STATE |
封装主体材料 | CERAMIC | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | DIP | DIP |
封装等效代码 | DIP22,.3 | DIP22,.3 |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE | IN-LINE |
并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL |
电源 | 5 V | 5 V |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
最大待机电流 | 0.01 A | 0.01 A |
最小待机电流 | 4.5 V | 4.5 V |
最大压摆率 | 0.06 mA | 0.06 mA |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V |
表面贴装 | NO | NO |
技术 | CMOS | CMOS |
温度等级 | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
端子节距 | 2.54 mm | 2.54 mm |
端子位置 | DUAL | DUAL |
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