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GM76C164C-35

产品描述Standard SRAM, 16KX4, 35ns, CMOS, CDIP22,
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文件大小533KB,共11页
制造商LG Semicon Co Ltd
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GM76C164C-35概述

Standard SRAM, 16KX4, 35ns, CMOS, CDIP22,

GM76C164C-35规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
Objectid101197715
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最长访问时间35 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-XDIP-T22
JESD-609代码e0
内存密度65536 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度4
端子数量22
字数16384 words
字数代码16000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织16KX4
输出特性3-STATE
封装主体材料CERAMIC
封装代码DIP
封装等效代码DIP22,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
电源5 V
认证状态Not Qualified
最大待机电流0.01 A
最小待机电流4.5 V
最大压摆率0.06 mA
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL

GM76C164C-35相似产品对比

GM76C164C-35 GM76C164-35
描述 Standard SRAM, 16KX4, 35ns, CMOS, CDIP22, Standard SRAM, 16KX4, 35ns, CMOS, PDIP22,
是否Rohs认证 不符合 不符合
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
最长访问时间 35 ns 35 ns
I/O 类型 COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-XDIP-T22 R-PDIP-T22
JESD-609代码 e0 e0
内存密度 65536 bit 65536 bit
内存集成电路类型 STANDARD SRAM STANDARD SRAM
内存宽度 4 4
端子数量 22 22
字数 16384 words 16384 words
字数代码 16000 16000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C
组织 16KX4 16KX4
输出特性 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 CERAMIC PLASTIC/EPOXY
封装代码 DIP DIP
封装等效代码 DIP22,.3 DIP22,.3
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL
电源 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified
最大待机电流 0.01 A 0.01 A
最小待机电流 4.5 V 4.5 V
最大压摆率 0.06 mA 0.06 mA
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V
表面贴装 NO NO
技术 CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子节距 2.54 mm 2.54 mm
端子位置 DUAL DUAL
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