UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
超高频波段, 硅, N沟道, 射频功率, 场效应管
参数名称 | 属性值 |
端子数量 | 4 |
最小击穿电压 | 65 V |
加工封装描述 | CASE 211-07, 4 PIN |
状态 | TRANSFERRED |
包装形状 | 圆 |
包装尺寸 | 凸缘安装 |
端子形式 | FLAT |
端子位置 | RADIAL |
包装材料 | 陶瓷, 金属-SEALED COFIRED |
结构 | 单一的 |
元件数量 | 1 |
晶体管应用 | 放大器 |
晶体管元件材料 | 硅 |
通道类型 | N沟道 |
场效应晶体管技术 | 金属-OXIDE SEMICONDUCTOR |
操作模式 | ENHANCEMENT |
晶体管类型 | 射频功率 |
最大漏电流 | 2.5 A |
最高频带 | ULTRA 高 频率 波段 |
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