Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter
NEU: in SMT
Silicon PIN Photodiode with Daylight Filter
NEW: in SMT
BP 104 F
BP 104 FS
0.6
0.4
1.2
0.7
0.8
0.6
Cathode marking
4.0
3.7
5.4
4.9
4.5
4.3
Chip position
0.6
0.4
2.2
1.9
0.6
0.4
0.8
0.6
0.5
0.3
0.35
0.2
0.6
0.4
0 ... 5˚
5.08 mm
spacing
Photosensitive area
2.20 mm x 2.20 mm
GEO06075
1.6
1.2
Approx. weight 0.1 g
Chip position
1.1
0.9
1.2
1.1
0.3
0...0.1
6.7
6.2
4.5
4.3
0.9
0.7
4.0
3.7
1.7
1.5
1.6
1.2
0...5
˚
0.2
0.1
3.5
3.0
Photosensitive area
2.20 mm x 2.20 mm
Cathode lead
GEO06861
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Semiconductor Group
1
1997-11-19
feo06861
feo06075
BP 104 F
BP 104 FS
Wesentliche Merkmale
q
Speziell geeignet für Anwendungen
bei 950 nm
q
kurze Schaltzeit (typ. 20 ns)
q
DIL-Plastikbauform mit hoher Packungs-
dichte
q
BP 104 FS: geeignet für Vapor-Phase
Löten und IR-Reflow Löten
Anwendungen
q
IR-Fernsteuerung von Fernseh- und
Features
q
Especially suitable for applications
of 950 nm
q
Short switching time (typ. 20 ns)
q
DIL plastic package with high packing
density
q
BP 104 FS: suitable for vapor-phase and
IR-reflow soldering
Applications
q
IR remote control of hi-fi and TV sets,
Rundfunkgeräten, Videorecordern,
Lichtdimmern, Gerätefernsteuerungen
q
Lichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
video tape recorders, dimmers, remote
controls of various equipment
q
Photointerrupters
Typ (*vorher)
Type (*formerly)
BP 104 F
(*BP 104 )
BP 104 FS
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description
Bestellnummer
Ordering Code
Q62702-P84
Q62702-P1646
Symbol
Symbol
Wert
Value
– 40 ... + 85
20
150
Einheit
Unit
°C
V
mW
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Sperrspannung
Reverse voltage
Verlustleistung,
T
A
= 25
°C
T
op
;
T
stg
V
R
P
tot
Semiconductor Group
2
1997-11-19
BP 104 F
BP 104 FS
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C, λ
= 950 nm)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Fotoempfindlichkeit
Spectral sensitivity
V
R
= 5 V,
E
e
= 1 mW/cm
2
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S
= 10 % von
S
max
Spectral range of sensitivity
S
= 10 % of
S
max
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Radiant sensitive area
Abmessung der bestrahlungsempfindlichen
Fläche
Dimensions of radiant sensitive area
Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseober-
fläche
Distance chip front to case surface
Halbwinkel
Half angle
Dunkelstrom,
V
R
= 10 V
Dark current
Spektrale Fotoempfindlichkeit
Spectral sensitivity
Quantenausbeute
Quantum yield
Leerlaufspannung,
E
e
= 0.5 mW/cm
2
Open-circuit voltage
Kurzschlußstrom,
E
e
= 0.5 mW/cm
2
Short-circuit current
Anstiegs- und Abfallzeit des Fotostromes
Rise and fall time of the photocurrent
R
L
= 50
Ω;
V
R
= 5 V;
λ
= 850 nm;
I
p
= 800
µA
Durchlaßspannung,
I
F
= 100 mA,
E
= 0
Forward voltage
Kapazität,
V
R
= 0 V,
f
= 1 MHz,
E
= 0
Capacitance
Symbol
Symbol
Wert
Value
34 (≥ 25)
Einheit
Unit
µA
S
λ
S max
λ
950
780 ... 1100
nm
nm
A
L
×
B
L
×
W
H
4.84
2.20
×
2.20
mm
2
mm
×
mm
0.5
mm
0.3 (BP 104 FS)
±
60
2 (≤ 30)
0.70
0.90
330 (≥ 250)
17
20
Grad
deg.
nA
A/W
Electrons
Photon
mV
µA
ns
ϕ
I
R
S
λ
η
V
O
I
SC
t
r
,
t
f
V
F
C
0
1.3
48
V
pF
Semiconductor Group
3
1997-11-19
BP 104 F
BP 104 FS
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C, λ
= 950 nm)
Characteristics
(cont’d)
Bezeichnung
Description
Temperaturkoeffizient von
V
O
Temperature coefficient of
V
O
Temperaturkoeffizient von
I
SC
Temperature coefficient of
I
SC
Rauschäquivalente Strahlungsleistung
Noise equivalent power
V
R
= 10 V
Nachweisgrenze,
V
R
= 10 V
Detection limit
Symbol
Symbol
Wert
Value
– 2.6
0.18
3.6
×
10
–14
Einheit
Unit
mV/K
%/K
W
√Hz
cm ·
√Hz
W
TC
V
TC
I
NEP
D*
6.1
×
10
12
Semiconductor Group
4
1997-11-19
BP 104 F
BP 104 FS
Relative spectral sensitivity
S
rel
=
f
(λ)
100
OHF00368
Photocurrent
I
P
=
f
(E
e
),
V
R
= 5 V
Open-circuit voltage
V
O
=
f
(E
e
)
Ι
P
10
3
µ
A
OHF01056
Total power dissipation
P
tot
=
f
(T
A
)
10
4
mV
S
rel
%
80
V
O
10
3
160
mW
P
tot
140
120
100
OHF00958
10
2
V
O
60
10
1
10
2
80
60
40
10
0
Ι
P
10
1
40
20
20
0
700
800
900
1000
nm
λ
1200
10
-1
10
0
10
1
10
2
µ
W/cm
10
0
10
4
2
0
0
20
40
60
E
e
80 ˚C 100
T
A
Dark current
I
R
=
f
(V
R
),
E
= 0
8000
pA
6000
OHFD1781
Capacitance
C
=
f
(V
R
),
f
= 1 MHz,
E
= 0
60
OHF01778
Dark current
I
R
=
f
(T
A
),
V
R
= 10 V,
E
= 0
10
3
OHF00082
C
pF
50
Ι
R
nA
10
2
Ι
R
40
10
1
4000
30
20
2000
10
0
10
10
-1
0
0
10
20
30
V
40
0
-2
10
10
-1
10
0
V
R
10
1
V 10
2
V
R
0
20
40
60
80 ˚C 100
T
A
Directional characteristics
S
rel
=
f
(ϕ)
40
30
20
10
ϕ
0
1.0
OHF01402
50
0.8
60
0.6
70
0.4
80
0.2
0
90
100
1.0
0.8
0.6
0.4
0
20
40
60
80
100
120
Semiconductor Group
5
1997-11-19
京公网安备 11010802033920号
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