Datasheet> 器件分类 > 半导体> 分立半导体> SB3200

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SB3200: 产品描述3 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD; 产品类别半导体分立半导体; 文件大小693KB，共2页; 制造商KEXIN; 官网地址http://www.kexin.com.cn/html/index.htm

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SB3200概述

3 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD

3 A, 30 V, 硅, 整流二极管, DO-201AD

SB3200规格参数

参数名称	属性值
端子数量	2
元件数量	1
加工封装描述	ROHS COMPLIANT, 塑料 PACKAGE-2
状态	ACTIVE
包装形状	圆
包装尺寸	LONG FORM
端子形式	线
端子位置	AXIAL
包装材料	塑料/环氧树脂
工艺	SCHOTTKY
结构	单一的
壳体连接	隔离
二极管元件材料	硅
二极管类型	整流二极管
应用	GENERAL PURPOSE
相数	1
最大重复峰值反向电压	30 V
最大平均正向电流	3 A
最大非重复峰值正向电流	80 A

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DIP Type

Schottky Diodes

SB320 ~ SB3200

DO-27 (DO-201AD)

Diodes

■

Features

●

Metal-Semiconductor junction with guard ring

●

Epitaxial construction

●

Low forward voltage drop

●

High current capability

●

The plastic material carries UL recognition 94V-0

0.210 (5.3)

0.190 (4.8)

DIA.

0.375 (9.5)

0.285 (7.2)

1.0 (25.4)

MIN.

0.052 (1.32)

0.048 (1.22)

DIA.

1.0 (25.4)

MIN.

Dimensions in inches and (millimeters)

■

Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃

Parameter

Repetitive Peak Reverse Voltage

RMS Voltage

Maximum DC Blocking Voltage

Forward Voltage @ 3A

Averaged Forward Current

Peak Forward Surge Current @ 8.3ms

Maximum DC Reverse Current Ta=25℃

Ta=100℃

Typical Junction Capacitance

Thermal Resistance.Junction- to-Ambient

Thermal Resistance.Junction- to-Case

Junction Temperature

Storage Temperature

Symbol

RRM

RMS

FAV

FSM

thJA

thJC

Tstg

180

0.5

150

125

-55 to 150

110

320

330

0.55

340

350

0.7

0.2

100

360

380

0.85

3100 3150 3200

100

150

105

150

0.87

200

140

200

0.9

℃/W

Unit

℃

www.kexin.com.cn

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	SB3200	SB330	SB340	SB360	SB380	SB3100	SB3150	SB350
描述	3 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD	3 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD	3 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD	3 A, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE	3 A, 80 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD	3 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD	3 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD	POWER CONNECTOR

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