电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

BCP3906_15

产品描述PNP Epitaxial Planar Transistor
文件大小76KB,共1页
制造商SECOS
官网地址http://www.secosgmbh.com/
下载文档 全文预览

BCP3906_15概述

PNP Epitaxial Planar Transistor

文档预览

下载PDF文档
BCP3906
Elektronische Bauelemente
-0.2A, -40V
PNP Epitaxial Planar Transistor
RoHS Compliant Product
A suffix of “-C” specifies halogen & lead-free
FEATURES
Complementary to BCP3904
Low Current
Low Voltage
A
SOT-89
4
1
2
3
C
MARKING
2A
B
F
G
H
E
D
PACKAGE INFORMATION
Package
SOT-89
MPQ
1K
Leader Size
7’ inch
1
Base
Collector
K
J
L
2
REF.
A
B
C
D
E
F
3
Emitter
Millimeter
Min.
Max.
4.40
4.60
3.94
4.25
1.40
1.60
2.30
2.60
1.50
1.70
1.2
0.89
0
REF.
G
H
J
K
L
Millimeter
Min.
Max.
0.40
0.58
1.50 TYP
3.00 TYP
0.32
0.52
0.35
0.44
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
A
= 25°C unless otherwise noted)
Parameter
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current -Continuous
Collector Power Dissipation
Junction & Storage temperature
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
C
T
J
, T
STG
Ratings
-40
-40
-6
-0.2
0.5
150, -55~150
Unit
V
V
V
A
W
°
C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
= 25°C unless otherwise specified)
Parameter
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown
voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cut-off current
Emitter cut-off current
Collector ut-off current
Symbol
V
(BR)CBO
V
(BR)CEO
V
(BR)EBO
I
CBO
I
EBO
I
CEX
h
FE(1)
h
FE(2)
h
FE(3)
h
FE(4)
h
FE(5)
V
CE(sat)1
V
CE(sat)2
V
BE(sat)1
V
BE(sat)2
f
T
C
C
C
E
NF
T
D
T
R
T
S
T
F
Min.
-40
-40
-6
-
-
-
-
60
80
100
60
30
-
-
-0.65
-
250
-
-
-
-
-
-
-
Typ.
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
4.5
10
4
35
35
225
75
Max.
-
-
-
-0.05
-0.05
-0.05
-
-
300
-
-
-0.25
-0.4
-0.85
-0.95
-
-
-
-
-
-
-
-
Unit
V
V
V
µA
µA
µA
-
-
-
-
-
V
V
V
V
MHz
pF
pF
dB
Test Conditions
I
C
= -10µA, I
E
=0
I
C
= -1mA, I
B
=0
I
E
= -10µA, I
C
=0
V
CB
= -30V, I
E
=0
V
EB
= -6V, I
C
=0
V
CB
= -30V, V
BE(off)
= -3V
V
CE
= -1V, I
C
= -0.1mA
V
CE
= -1V, I
C
= -1mA
V
CE
= -1V, I
C
= -10mA
V
CE
= -1V, I
C
= -50mA
V
CE
= -1V, I
C
= -100mA
I
C
= -10mA, I
B
= -1mA
I
C
= -50mA, I
B
= -5mA
I
C
= -10mA, I
B
= -1mA
I
C
= -50mA, I
B
= -5mA
V
CE
= -20V, I
C
= -10mA, f=100MHz
V
CB
= -5V, I
E
=0, f=1MHz
V
EB
= -0.5V, I
C
=0, f=1MHz
V
CE
= -5V, I
C
= -0.1mA,
f=10Hz~15.7kHz, R
S
=1K
I
C
= -10mA, I
B1
= -I
B2
= -1mA
DC current gain
Collector-emitter saturation voltage
Base-emitter saturation voltage
Transition frequency
Collector Capacitance
Emitter Capacitance
Noise Figure
Delay Time
Rise Time
Storage Time
Fall Time
http://www.SeCoSGmbH.com/
nS
Any changes of specification will not be informed individually.
14-Jul-2014 Rev. A
Page 1 of 1
简单问题,抢分!!!!!
下面几个问题请高手帮忙解答: 1 设计信号处理器TMS320LF2407的最小系统原理框图,要求完成包括时钟,复位,微处理器监控和CPU的工作方式设置。 2 已知TMS320LF2407为核心的电能质量分析仪的 ......
qing_yx 嵌入式系统
为什么寄存器中P4.4OUT口显示1,而量出来是低电平?
:Cry: 有哪些可能的原因会造成这样的后果...
huang91 微控制器 MCU
很久没来论坛啦,散分!!
没事,散分!!路过接份吧...
jessica820915 嵌入式系统
单片机工作温度
有没有知道单片机Atmega128 芯片正常工作温度是多少? Atmega128的文档写的是-40-+85℃,但是正常的工作温度应该是在20还是30度? 开发板上用的时候都是19-20度,自己设计的PCB上芯片温度到了2 ......
第七天魔王 单片机
创意的日光再利用灯
4981749818现在讲究循环利用,低碳生活,因此各种针对于此概念的新创意、点子也不断涌现。今天要介绍的这款日光再利用灯就是其中的一个创意,只要部分是利用太阳能充电的LED灯,白天把它放在外 ......
xyh_521 能源基础设施
求救:可不可以提供一些可以查芯片资料的网站?
本帖最后由 jameswangsynnex 于 2015-3-3 20:01 编辑 可不可以提供一些可以查芯片资料的网站。中文或英文都可以,方便就行!谢谢啦! ...
hfhduih 消费电子

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 2132  1951  2242  1368  2383  12  30  51  31  56 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved