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TS6B01G

产品描述6 A, 50 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小607KB,共2页
制造商KEXIN
官网地址http://www.kexin.com.cn/html/index.htm
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TS6B01G概述

6 A, 50 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE

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DIP Type
Rectifier Diodes
TS6B01G ~ TS6B07G
TS4B (TSB)
Features
Ideal for printed circuit board
Reliable low cost construction
Surge overload rating to 150 amperes peak
.176(4.37)
.156(3.96)
Diodes
.118(3.0)X45
0
.996(25.3)
.972(24.7)
.602(15.3)
.579(14.7)
.147(3.7)
.130(3.3)
.134(3.4)
.122(3.1)
.068(1.73)
.060(1.52)
.043(1.1)
.035(0.9)
.709(18)
.669(17)
.303(7.7)
.287(7.3)
.087(2.2)
.071(1.8)
.030(0.75)
.022(0.55)
Dimensions in inches and (millimeters)
Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃
Parameter
Repetitive Peak Reverse Voltage
RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Forward Voltage @ 6A
Averaged Forward Current.
Peak Forward Surge Current @ 8.3ms
Maximum DC Reverse Current Ta=25℃
Ta=125℃
Junction Temperature
Storage Temperature
Symbol
V
RRM
V
RMS
V
DC
V
F
I
FAV
I
FSM
I
R
Tj
Tstg
TS6B TS6B TS6B TS6B TS6B TS6B TS6B
01G
02G
03G
04G
05G
06G
07G
50
35
50
100
70
100
200
140
200
400
280
400
1.1
6
150
5
500
150
-55 to 150
A
μA
600
420
600
800
560
800
1000
700
1000
V
Unit
www.kexin.com.cn
1

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