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Datasheet> 器件分类 > 半导体> 分立半导体> 1N914A
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1N914A

产品描述0.15 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小201KB，共2页
制造商SUNMATE
官网地址http://www.sunmate.tw/
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1N914A概述

0.15 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35

0.15 A, 硅, 信号二极管, DO-35

1N914A规格参数

参数名称属性值
端子数量2
元件数量1
加工封装描述DO-35, 2 PIN
状态ACTIVE
包装形状ROUND
包装尺寸LONG FORM
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
包装材料UNSPECIFIED
结构SINGLE
壳体连接ISOLATED
二极管元件材料SILICON
二极管类型SIGNAL DIODE
最大平均正向电流0.1500 A

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1N914/A/B
75mA Axial Leaded High Speed Switching Diodes
Features
·
·
·
·
High switching speed: max. 4 ns
Continuous reverse voltage:max. 75 V
Repetitive peak reverse voltage:max. 100 V
Repetitive peak forward current: max. 225 mA
A
B
A
D
C
Mechanical Data
·
Case:
DO-35 Glass Case
·
Weight:
approx. 0.13g
Dim
A
B
C
D
DO-35
Min
25.40
¾
¾
¾
Max
¾
4.00
0.60
2.00
All Dimensions in mm
Maximum Ratings and Electrical Characteristics
Parameter
Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage
Maximum Continuous Reverse Voltage
Maximum Continuous Forward Current
Maximum Power Dissipation
Maximum Repetitive Peak Forward Current
Maximum Non-repetitive Peak Forward Current at t = 1s
Maximum Junction Temperature
Storage Temperature Range
@ T
A
= 25°C unless otherwise specified
Symbol
V
RRM
V
RM
I
F
P
D
I
FRM
I
FSM
T
J
T
S
Value
100
75
75
250
225
0.5
175
-65 to + 200
Min
-
-
-
-
0.62
-
-
-
Typ
-
-
-
-
-
-
-
-
Max
25
50
1.0
1.0
0.72
1.0
4.0
4
Unit
V
V
mA
mW
mA
A
°C
°C
Unit
nA
μA
V
V
V
V
pF
ns
Parameter
Reverse Current
1N914
1N914A
1N914B
1N914B
Symbol
I
R
Test Condition
V
R
= 20 V
V
R
= 20 V , Tj = 150
°C
I
F
= 10 mA
I
F
= 20 mA
I
F
= 5 mA
I
F
= 100 mA
f = 1MHz ; V
R
= 0
I
F
= 10 mA to I
R
= 60 mA
R
L
= 100
Ω
; measured
at I
R
= 1mA
Forward Voltage
V
F
Diode Capacitance
Reverse Recovery Time
Cd
Trr
1 of 2

1N914A相似产品对比

1N914A 1N914B 1N914
描述 0.15 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 0.2 A, 75 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 0.2 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35
端子数量 2 2 2
元件数量 1 1 1
状态 ACTIVE DISCONTINUED ACTIVE
包装形状 ROUND 圆 圆
包装尺寸 LONG FORM LONG FORM LONG FORM
端子形式 WIRE 线 线
端子位置 AXIAL AXIAL AXIAL
包装材料 UNSPECIFIED 玻璃 UNSPECIFIED
结构 SINGLE 单一的 单一的
壳体连接 ISOLATED 隔离 隔离
二极管元件材料 SILICON 硅 硅
二极管类型 SIGNAL DIODE 信号二极管 信号二极管
最大平均正向电流 0.1500 A 0.2000 A 0.2000 A
加工封装描述 DO-35, 2 PIN - DO-35, 2 PIN
最大功耗极限 - 0.5000 W 0.5000 W
反向恢复时间最大 - 0.0040 us 0.0040 us
最大重复峰值反向电压 - 75 V 100 V

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