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11DF3

产品描述1 A, 300 V, SILICON, SIGNAL DIODE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小135KB,共2页
制造商SUNMATE
官网地址http://www.sunmate.tw/
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11DF3概述

1 A, 300 V, SILICON, SIGNAL DIODE

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11DF3-11DF4
1.0A Axial Leaded Ultra-Fast Rectifier
Features
·
High current capability
·
High surge current capability
·
High reliability
·
Low reverse current
·
Low forward voltage drop
·
Superfast recovery time
Pb / RoHS Free
A
B
A
D
C
Mechanical Data
·
Case : DO-41 Molded plastic
·
Epoxy : UL94V-O rate flame retardant
·
Lead : Axial lead solderable per MIL-STD-202,
·
Polarity : Color band denotes cathode end
·
Mounting position : Any
·
Weight : 0.339 gram
Method 208 guaranteed
Dim
A
B
C
D
DO-41
Min
25.40
4.06
0.71
2.00
Max
¾
5.21
0.864
2.72
All Dimensions in mm
Maximum Ratings and Electrical Characteristics
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
@ T
A
= 25°C unless otherwise specified
RATING
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward Current
Maximum Peak Forward Surge Current,
8.3ms Single half sine wave
Superimposed on rated load (JEDEC Method)
Maximum Peak Forward Voltage at I
F
= 1.0 A
Maximum DC Reverse Current at V
RRM
Maximum Reverse Recovery Time ( Note 1 )
Junction Temperature Range
Storage Temperature Range
Note:
SYMBOL
V
RRM
V
RMS
V
DC
Ta = 57
°C
I
F(AV)
I
FSM
11DF3
300
210
300
1.0
30
11DF4
400
280
400
UNIT
V
V
V
A
A
V
F
I
R
Trr
T
J
T
STG
1.25
10
35
- 65 to + 150
- 65 to + 150
V
µA
ns
°C
°C
( 1 ) Reverse Recovery Test Conditions : I
F
= 0.5 A, I
R
= 1.0 A, Irr = 0.25 A.
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