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BYV38

产品描述2 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小126KB,共2页
制造商SUNMATE
官网地址http://www.sunmate.tw/
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BYV38概述

2 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE

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BYV37-BYV38
2.0A Axial Leaded Fast Recovery Rectifier
Features
·
Low cost
·
Diffused junction
·
Low leakage
·
Low forward voltage drop
·
High current capability
·
Easily cleaned with Freon,Alcohol,Isopropanol
and similar solvents
·
The plastic material carries U/L recognition 94V-0
A
B
A
D
C
Mechanical Data
·
Case:JEDEC DO-15,molded plastic
·
Terminals: Axial lead ,solderable per
MIL- STD-202,Method 208
·
Polarity: Color band denotes cathode
·
Weight: 0.014 ounces,0.39 grams
·
Mounting position: Any
Dim
A
B
C
D
DO-15
Min
25.40
5.50
0.686
2.60
Max
¾
7.62
0.889
3.60
All Dimensions in mm
Maximum Ratings and Electrical Characteristics
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
@ T
A
= 25°C unless otherwise specified
BYV
37
Maximum recurrent peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forw ard rectified current
9.5mm lead length,
@T
A
=75
BYV
38
1000
700
1000
2.0
UNITS
V
V
V
A
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
800
560
800
Peak forw ard surge current
8.3ms single half-sine-w ave
superimposed on rated load
@T
J
=125
I
FSM
50.0
A
Maximum instantaneous forw ard voltage
@ 1.0 A
Maximum reverse current
at rated DC blocking voltage
@T
A
=25
@T
A
=100
V
F
I
R
t
rr
C
J
R
θ
JA
T
J
T
STG
1.1
5.0
100
300
15
45
- 55---- +150
- 55---- +150
V
A
ns
pF
K/W
Maximum reverse recovery time (Note1)
Typical junction capacitance
Typical thermal resistance
(Note2)
(Note3)
Operating junction temperature range
Storage temperature range
NOTE:1. Measured with I
F
=0.5A, I
R
=1A, I
rr
=0.25A.
2. Measured at 1.0MHz and applied rev erse v oltage of 4.0V DC.
3. Thermal resistance f rom junction to ambient,I=10mm,T
L
=constant.
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