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MMBD914

产品描述0.25 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小113KB,共2页
制造商SUNMATE
官网地址http://www.sunmate.tw/
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MMBD914概述

0.25 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE

0.25 A, 100 V, 硅, 信号二极管

MMBD914规格参数

参数名称属性值
端子数量3
元件数量1
加工封装描述ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
无铅Yes
欧盟RoHS规范Yes
中国RoHS规范Yes
状态ACTIVE
包装形状矩形的
包装尺寸SMALL OUTLINE
表面贴装Yes
端子形式GULL WING
端子涂层MATTE 锡
端子位置
包装材料塑料/环氧树脂
结构单一的
二极管元件材料
最大功耗极限0.3700 W
二极管类型信号二极管
反向恢复时间最大0.0040 us
最大重复峰值反向电压100 V
最大平均正向电流0.2500 A

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MMBD914
2.0A Surface Mount Fast Switching Diode
Features
!
!
!
!
!
High Conductance
Fast Switching
Surface Mount Package Ideally Suited for
Automatic Insertion
For General Purpose and Switching
Plastic Material – UL Recognition Flammability
Classification 94V-O
K
A
B C
G
H
M
Mechanical Data
!
!
!
!
!
!
!
Case: SOT-23, Molded Plastic
Terminals: Plated Leads Solderable per
MIL-STD-202, Method 208
Polarity: See Diagram
Weight: 0.008 grams (approx.)
Mounting Position: Any
Marking: T1
Lead Free: For RoHS / Lead Free Version,
Add “-LF” Suffix to Part Number, See Page 4
J
D
F
L
SOT-23
Dim
Min
Max
A
0.37
0.51
B
1.20
1.40
C
2.30
2.50
D
0.89
1.03
F
0.45
0.60
G
1.78
2.05
H
2.80
3.00
J
0.013
0.10
K
0.903
1.10
L
0.45
0.61
M
0.085
0.180
α
All Dimensions in mm
Maximum Ratings And Electrical Characteristics
Characteristic
Non-Repetitive Peak Reverse Voltage
Peak Repetitive Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
Average Rectified Output Current (Note 1)
Peak Forward Surge Current (Note 1)
Power Dissipation (Note 1)
Typical Thermal Resistance, Junction to Ambient Air (Note 1)
Operating and Storage Temperature Range
Characteristic
Reverse Breakdown Voltage
Forward Voltage
Reverse Leakage Current
Junction Capacitance
Reverse Recovery Time
Symbol
V
(BR)R
V
F
I
R
C
j
t
rr
@ t < 1.0µs
Symbol
V
RM
V
RRM
V
RWM
V
R
I
O
I
FSM
P
d
R
JA
T
j
, T
STG
Min
75
@T
A
=25°C unless otherwise specified
Value
100
75
200
2.0
350
357
-65 to +150
Max
1.0
25
5.0
4.0
4.0
Unit
V
V
nA
µA
pF
nS
Test Condition
@ I
R
= 100µA
@ I
F
= 10mA
@ V
R
= 20V
@ V
R
= 75V
V
R
= 0V, f = 1.0MHz
I
F
= I
R
= 10mA,
I
RR
= 0.1 x I
R
, R
L
= 100
Unit
V
V
mA
A
mW
°C/W
°C
Note: 1. Device mounted on fiberglass substrate 40 x 40 x 1.5mm.
1of2

 
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