电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

SB250

产品描述2 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-204AC
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小87KB,共2页
制造商SUNMATE
官网地址http://www.sunmate.tw/
下载文档 选型对比 全文预览

SB250在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
SB250 - - 点击查看 点击购买

SB250概述

2 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-204AC

文档预览

下载PDF文档
SB220 – SB2100
2.0A Axial Leaded Schottky Barrier Diode
Features
!
!
Schottky Barrier Chip
Guard Ring Die Construction for
Transient Protection
!
High Current Capability
A
B
!
Low Power Loss, High Efficiency
!
High Surge Current Capability
!
For Use in Low Voltage, High Frequency
Inverters, Free Wheeling, and Polarity
Protection Applications

D
A
C
Mechanical Data
!
!
!
!
!
!
!
Case: DO-15, Molded Plastic
Terminals: Plated Leads Solderable per
MIL-STD-202, Method 208
Polarity: Cathode Band
Weight: 0.40 grams (approx.)
Mounting Position: Any
Marking: Type Number
Lead Free: For RoHS / Lead Free Version,
Add “-LF” Suffix to Part Number, See Page 4
DO-15
Dim
Min
Max
25.4
A
5.50
7.62
B
0.71
0.864
C
2.60
3.60
D
All Dimensions in mm
Maximum Ratings and Electrical Characteristics
Single Phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
Characteristic
Peak Repetitive Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
RMS Reverse Voltage
Average Rectified Output Current
(Note 1)
@T
L
= 100°C
Symbol
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R(RMS)
I
O
@T
A
=25°C unless otherwise specified
SB220 SB230 SB240
20
14
30
21
40
28
SB250 SB260
50
35
2.0
60
42
SB280 SB2100
80
56
100
70
Unit
V
V
A
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current 8.3ms
Single half sine-wave superimposed on rated load
(JEDEC Method)
Forward Voltage
Peak Reverse Current
At Rated DC Blocking Voltage
@I
F
= 2.0A
@T
A
= 25°C
@T
A
= 100°C
I
FSM
V
FM
I
RM
C
j
R
JA
T
j
, T
STG
170
0.50
50
0.70
0.5
10
140
35
-65 to +150
0.85
A
V
mA
pF
°C/W
°C
Typical Junction Capacitance (Note 2)
Typical Thermal Resistance (Note 1)
Operating and Storage Temperature Range
Note: 1. Valid provided that leads are kept at ambient temperature at a distance of 9.5mm from the case.
2. Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.
1of2

SB250相似产品对比

SB250 SB230 SB2100 SB220 SB240 SB260 SB280
描述 2 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-204AC 2 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-15 2 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-15 2 A, 20 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-15 2 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-15 2 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-15 2 A, 80 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-15
有关烟雾报警器仿真的问题
仿真中烟雾报警器MQ-2掉不出,可以用什么代替?...
俞杰 51单片机
LM3S 系列微控制器中断优先级应用笔记
1. 中断优先级.................................................................................................................................1 2. 中断优先级分组.................. ......
老夫子 微控制器 MCU
一种基于TPS61022的恒定且可调输出功率的加热单元供电方案
摘要 这篇博客给出了一种加热单元的供电解决方案,主要包括一节锂电池,一个升压电路(TPS61022)和一个加热电阻(2 Ω)。这个解决方案支持最高12.5W(5V/2.5A)输出,并且功率连续可 ......
alan000345 TI技术论坛
电子设备设计的多重物理量建模(EN)
电子设备设计的多重物理量建模(EN) ...
0跳跳糖0 电源技术
当前最全:大功率LED透镜实践应用知识手册
一 LED 透镜的材料种类: 1.硅胶透镜;a.因为硅胶耐温高(也可以过回流焊),因此常用直接封装在LED芯片上;b.一般硅胶透镜体积较小,直径3-10mm; 2,PMMA透镜a.光学级PMMA(聚甲基丙烯酸 ......
探路者 LED专区
stm32 点亮一个led (直接控制寄存器),帮忙看看 非常感谢。。。。
#include"stm32f10x_lib.h" #include"sys.h" #include"led.h" #include"delay.h" #define led PBout(0) #define key PAin(0) void init_led(void) { RCC->APB2ENR= ......
beautive ARM技术

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 2375  2763  125  825  325  2  16  46  45  52 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved