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SBL20A100_15

产品描述Low VF Planar MOS Barrier Schottky Rectifier
文件大小146KB,共2页
制造商SECOS
官网地址http://www.secosgmbh.com/
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SBL20A100_15概述

Low VF Planar MOS Barrier Schottky Rectifier

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SBL20A100
Elektronische Bauelemente
Voltage 100V 20.0 Amp
Low VF Planar MOS Barrier Schottky Rectifier
RoHS Compliant Product
A suffix of “-C” specifies halogen free
TO-220
FEATURES
Planar
MOS Schottky technology
Low forward voltage drop
Low reverse current
High current capability
High reliability
High surge current capability
Epitaxial construction
B
N
D
E
M
P
H
J
K
L
A
O
C
G
F
MECHANICAL DATA
Case: Molded plastic
Epoxy: UL94V-0 rate flame retardant
Lead: Lead solderable per MIL-STD-202
method 208 guaranteed
Polarity: As Marked
Mounting position: Any
Weight: 1.98 g (Approximate)
L
REF.
A
B
C
D
E
F
G
H
1
3
2
Millimeter
Min.
Max.
14.22
16.51
9.65
10.67
12.50
14.75
3.56
4.90
0.51
1.45
2.03
2.92
0.31
0.76
3.5
4.5
REF.
J
K
L
M
N
O
P
Millimeter
Min.
Max.
0.7
1.78
0.38
1.02
2.39
2.69
2.50
3.43
3.10
4.09
8.38
9.65
0.89
1.45
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(Rating 25° ambient temperature unless otherwise s pecified. Single phase half wave, 60Hz, resistive or inductive load.
C
For capacitive load, de-rate current by 20%.)
Parameter
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward Rectified
Current
Voltage Rate of Chance (Rated V
R
)
Typical Thermal Resistance
Operating and Storage Temperature Range
(Per Leg)
(Per Device)
Symbol
V
RRM
V
RSM
V
DC
I
F
I
FSM
dv/dt
R
θ
JC
T
J
,T
STG
Rating
100
100
100
10
20
120
10000
2
-40~150
Unit
V
V
V
A
A
V /
µs
° /W
C
°
C
Peak Forward Surge Current, 8.3 ms single half sine-wave
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Parameter
Maximum Instantaneous Forward
Voltage
Maximum DC Reverse Current
2
at Rated DC Blocking Voltage
Typical Junction Capacitance
1
Symbol
Typ.
0.57
0.69
0.79
0.7
-
-
160
Max.
0.64
0.74
0.84
-
0.2
10
-
Unit
V
Test Condition
I
F
= 3A, T
J
= 25°
C
I
F
= 5A, T
J
= 25°
C
I
F
= 10 A, T
J
= 25°
C
I
F
= 10 A, T
J
= 125°
C
T
J
=25°
C
T
J
=100°
C
V
F
I
R
C
J
mA
pF
NOTES:
1. Measured at 1MHz and applied reverse voltage of 5.0V D.C.
2. Pulse Test:Pulse Width = 300
µs,
Duty Cycle
2.0%.
http://www.SeCoSGmbH.com/
Any changes of specification will not be informed individually.
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