电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

HGT1S5N120CNS9A

产品描述25A, 1200V, N-CHANNEL IGBT, TO-263AB
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小81KB,共7页
制造商Intersil ( Renesas )
官网地址http://www.intersil.com/cda/home/
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

HGT1S5N120CNS9A概述

25A, 1200V, N-CHANNEL IGBT, TO-263AB

HGT1S5N120CNS9A规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
其他特性LOW CONDUCTION LOSS
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)25 A
集电极-发射极最大电压1200 V
配置SINGLE
最大降落时间(tf)350 ns
门极-发射极最大电压20 V
JEDEC-95代码TO-263AB
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)167 W
认证状态Not Qualified
最大上升时间(tr)16 ns
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
晶体管应用MOTOR CONTROL
晶体管元件材料SILICON
标称断开时间 (toff)575 ns
标称接通时间 (ton)32 ns

HGT1S5N120CNS9A相似产品对比

HGT1S5N120CNS9A
描述 25A, 1200V, N-CHANNEL IGBT, TO-263AB
是否Rohs认证 不符合
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code not_compliant
ECCN代码 EAR99
其他特性 LOW CONDUCTION LOSS
外壳连接 COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 25 A
集电极-发射极最大电压 1200 V
配置 SINGLE
最大降落时间(tf) 350 ns
门极-发射极最大电压 20 V
JEDEC-95代码 TO-263AB
JESD-30 代码 R-PSSO-G2
JESD-609代码 e0
元件数量 1
端子数量 2
最高工作温度 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
极性/信道类型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 167 W
认证状态 Not Qualified
最大上升时间(tr) 16 ns
表面贴装 YES
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 GULL WING
端子位置 SINGLE
晶体管应用 MOTOR CONTROL
晶体管元件材料 SILICON
标称断开时间 (toff) 575 ns
标称接通时间 (ton) 32 ns

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 93  246  403  1038  1657 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved