电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

BN1L4Z

产品描述COMPOUND TRANSISTOR
文件大小79KB,共4页
制造商NEC ( Renesas )
官网地址https://www2.renesas.cn/zh-cn/
下载文档 全文预览

BN1L4Z概述

COMPOUND TRANSISTOR

文档预览

下载PDF文档
DATA SHEET
COMPOUND TRANSISTOR
BN1L4Z
on-chip resistor NPN silicon epitaxial transistor
For mid-speed switching
FEATURES
• On-chip bias resistor
(R
1
= 47 kΩ)
• Complementary transistor with BA1L4Z
PACKAGE DRAWING (UNIT: mm)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta = 25°C)
°
Parameter
Collector to base voltage
Collector to emitter voltage
Emitter to base voltage
Collector current (DC)
Collector current (Pulse)
Total power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C(DC)
I
C(pulse)
*
P
T
T
j
T
stg
Ratings
−60
−50
−5
−100
−200
250
150
−55
to +150
Unit
V
V
V
mA
mA
mW
°C
°C
* PW
10 ms, duty cycle
50 %
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta = 25°C)
°
Parameter
Collector cutoff current
DC current gain
DC current gain
Collector saturation voltage
Low level input voltage
High level input voltage
Input resistance
Turn-on time
Storage time
Turn-off time
Symbol
I
CBO
h
FE1
**
h
FE2
**
V
CE(sat)
**
V
IL
**
V
IH
**
R
1
t
on
t
stg
t
off
V
CC
=
−5.0
V, R
L
= 1.0 kΩ
V
I
=
−5.0
V, PW = 2.0
µ
s
duty cycle≤2 %
Conditions
V
CB
=
−50
V, I
E
= 0
V
CE
=
−5.0
V, I
C
=
−5.0
mA
V
CE
=
−5.0
V, I
C
=
−50
mA
I
C
=
−5.0
mA, I
B
=
−0.25
mA
V
CE
=
−5.0
V, I
C
=
−100
µ
A
V
CE
=
−0.2
V, I
C
=
−5.0
mA
−4.0
32.9
135
100
230
190
−0.07
−0.58
−1.8
47
61.1
0.2
5.0
6.0
−0.2
−0.5
MIN.
TYP.
MAX.
100
600
Unit
nA
V
V
V
kΩ
µ
s
µ
s
µ
s
** Pulse test PW
350
µ
s, duty cycle
2 %
h
FE
CLASSIFICATION
Marking
h
FE1
Q
135 to 270
P
200 to 400
K
300 to 600
The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please
confirm that this is the latest version.
Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for
availability and additional information.
Document No. D13592EJ1V0DS00 (1st edition)
Date Published April 2002 N CP(K)
Printed in Japan
©
2002
1998
关于锂电池保护扳设计的问题
锂电池保护扳用在电动车上面的锂电池保护,我用了S-8254IC来控制10串锂电池.但现在有个问题就是我不知道保护芯片S-8254之间级连的方式:Q :Q .望高手赐教.谢谢...
zcbing 电源技术
MDK中不能使用Goto Definition Goto Reference的解决方法
在用RealView MDK进行嵌入式软件开发的过程中。我们可能需要得知某个变量的类型或者是某个常量的值。或者查找某个函数的原型及其定义。要做到这些有一个最简单的办法就是逐个源文件去查找。或者 ......
jiladei 嵌入式系统
STEVAL-IDB007V1挑战赛更低功耗实现
本帖最后由 littleshrimp 于 2018-2-1 22:33 编辑 以往的代码都是间隔一段时间就测量一次数据然后通过BLE广播虽然间隔可以设置为十几秒或者更长但测量和广播仍然是电流的最大贡献者VBLUE的电 ......
littleshrimp 意法半导体-低功耗射频
多参量调试信号源-系统结构
多参量调试信号源-系统结构 基本结构如PDF所示 97038...
蓝雨夜 ADI 工业技术
怎么用软件分调频,
有谁玩 过这个的,给断程序看看。 要51的...
天使疯子 嵌入式系统
[原创] EDA资料共享
小结:如何在Allegro Layout中显示元件Value值 有时候需要在Layout中显示元件的Value值,比如需要显示矩阵式键盘中每个按键的名称,这些名称在orcad中是保存在元件属性(Edit properties...) ......
护花使者 FPGA/CPLD

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 2640  2730  160  1785  2859  50  45  43  35  18 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved