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TST40L200CW

产品描述Trench Schottky Rectifier
文件大小210KB,共5页
制造商Taiwan Semiconductor
官网地址http://www.taiwansemi.com/
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TST40L200CW概述

Trench Schottky Rectifier

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TST40L100CW thru TST40L200CW
Taiwan Semiconductor
Trench Schottky Rectifier
FEATURES
- Patented Trench Schottky technology
- Excellent high temperature stability
- Low forward voltage
- Low power loss/ high efficiency
- High forward surge capability
- Compliant to RoHS directive 2011/65/EU and
in accordance to WEEE 2002/96/EC
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
TYPICAL APPLICATIONS
Trench Schottky barrier rectifier are designed for high frequency
miniature switched mode power supplies such as adapters, lighting
and on-board DC/DC converters.
TO-220AB
MECHANICAL DATA
Case:
TO-220AB
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating
Packing code with suffix "G" means green compound (halogen-free)
Terminal:
Matte tin plated leads, solderable per JESD22-B102
Meet JESD 201 class 1A whisker test
Polarity:
As marked
Mounting torque: 0.56 Nm max.
Weight:
1.88 g (approximately)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
= 25°C unless otherwise noted)
PARAMETER
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum average forward
rectified current
per device
per diode
SYMBOL
V
RRM
I
F(AV)
I
FSM
dV/dt
TYP
I
F
= 10A
Instantaneous forward
voltage per diode (Note1)
I
F
= 20A
I
F
= 10A
I
F
= 20A
Instantaneous reverse current per
diode at rated reverse voltage
Typical thermal resistance per diode
Operating junction temperature range
Storage temperature range
Note 1: Pulse test with pulse width=300μs, 1% duty cycle
T
J
= 25°C
V
F
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
I
R
R
θJC
R
θJL
T
J
T
STG
0.62
0.75
0.56
0.67
6
MAX
-
0.83
-
0.75
200
20
2.2
3.2
- 55 to +150
- 55 to +150
TYP
0.68
0.80
0.59
0.69
-
6
-
0.88
-
0.77
200
20
TST40L
100CW
100
TST40L
120CW
120
40
20
220
10000
MAX
TYP
0.77
0.86
0.64
0.74
-
3
MAX
-
0.96
-
0.82
100
15
2.5
3.5
TYP
0.80
0.88
0.67
0.76
-
3
0.84
100
15
μA
mA
°C/W
°C/W
°C
°C
MAX
-
0.98
V
TST40L
150CW
150
TST40L
200CW
200
UNIT
V
A
A
V/μs
Peak forward surge current, 8.3ms single half
sine-wave superimposed on rated load per diode
Voltage rate of change (Rated V
R
)
Document Number: DS_D1411084
Version: B14

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