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TST20H100CW

产品描述Trench Schottky Rectifier
文件大小207KB,共5页
制造商Taiwan Semiconductor
官网地址http://www.taiwansemi.com/
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TST20H100CW概述

Trench Schottky Rectifier

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TST20H100CW thru TST20H200CW
Taiwan Semiconductor
Trench Schottky Rectifier
FEATURES
- Patented Trench Schottky technology
- Excellent high temperature stability
- Low forward voltage
- Low power loss/ High efficiency
- High forward surge capability
- Compliant to RoHS directive 2011/65/EU and
in accordance to WEEE 2002/96/EC
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
TO-220AB
TYPICAL APPLICATIONS
Trench Schottky barrier rectifier are designed for high frequency
miniature switched mode power supplies such as adapters,
lighting and on-board DC/DC converters.
MECHANICAL DATA
Case:
TO-220AB
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating
Packing code with suffix "G" means green compound (halogen-free)
Terminal:
Matte tin plated leads, solderable per JESD22-B102
Meet JESD 201 class 1A whisker test
Polarity:
As marked
Mounting torque:
0.56 Nm max.
Weight:
1.88 g (approximately)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
= 25
o
C unless otherwise noted)
PARAMETER
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum average
forward rectified current
per device
per diode
SYMBOL
V
RRM
I
F(AV)
I
FSM
dV/dt
TYP
Instantaneous forward
voltage per diode
(Note1)
I
F
= 5A
I
F
= 10A
I
F
= 5A
I
F
= 10A
Instantaneous reverse current per
diode at rated reverse voltage
Typical thermal resistance per diode
Operating junction temperature range
Storage temperature range
Note 1: Pulse test with pulse width=300μs, 1% duty cycle
T
J
= 25°C
V
F
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
I
R
R
θJC
T
J
T
STG
0.57
0.67
0.50
0.59
-
8
MAX
-
0.79
-
0.68
200
25
TYP
0.62
0.78
0.53
0.63
-
10
-
0.89
-
0.72
200
30
2.8
- 55 to +150
- 55 to +150
TST20H
100CW
100
TST20H
120CW
120
20
10
150
10000
MAX
TYP
0.72
0.81
0.58
0.66
-
3
MAX
-
0.90
-
0.75
100
15
TYP
0.77
0.83
0.62
0.68
-
3
MAX
-
0.93
-
0.78
100
15
O
TST20H
150CW
150
TST20H
200CW
200
UNIT
V
A
A
V/μs
Peak forward surge current, 8.3 ms single half
sine-wave superimposed on rated load per diode
Voltage rate of change (Rated V
R
)
V
μA
mA
C/W
O
O
C
C
Document Number: DS_D1411058
Version: E14

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