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IDT8M612S60S

产品描述SRAM Module, 32KX16, 60ns, CMOS
产品类别存储    存储   
文件大小432KB,共8页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
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IDT8M612S60S概述

SRAM Module, 32KX16, 60ns, CMOS

IDT8M612S60S规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
最长访问时间60 ns
I/O 类型COMMON
JESD-609代码e0
内存密度524288 bit
内存集成电路类型SRAM MODULE
内存宽度16
端子数量40
字数32768 words
字数代码32000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织32KX16
输出特性3-STATE
封装主体材料CERAMIC
封装等效代码SIP40,.1
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)260
电源5 V
认证状态Not Qualified
最大待机电流0.03 A
最小待机电流4.5 V
最大压摆率0.3 mA
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子节距2.54 mm
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间6

 
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