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SMA6J10A

产品描述600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AC
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小210KB,共5页
制造商Taiwan Semiconductor
官网地址http://www.taiwansemi.com/
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SMA6J10A概述

600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AC

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SMA6J SERIES
Taiwan Semiconductor
CREAT BY ART
FEATURES
- Low profile package
- Ideal for automated placement
- Glass passivated junction
- Built-in strain relief
- Excellent clamping capability
- Fast response time: Typically less than
1.0ps from 0 volt to BV min
- 600 watts peak pulse power capability with a
10 / 1000
μs
waveform
- Moisture sensitivity level: level 1, per J-STD-020
- Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU and
in accordance to WEEE 2002/96/EC
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
- AEC-Q101 qualified
Surface Mount Transient Voltage Suppressor
DO-214AC (SMA)
MECHANICAL DATA
Case:
DO-214AC (SMA)
Molding compound, UL flammability classification rating 94V-0
Packing code with suffix "G" means green compound (halogen-free)
Terminal:
Matte tin plated leads, solderable per JESD22-B102
Meet JESD 201 class 2 whisker test
Polarity:
Indicated by cathode band
Weight:
0.06 g (approximately)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
=25°C unless otherwise noted)
PARAMETER
Peak power dissipation at T
A
=25°C, tp=1ms(Note 1)
Steady state power dissipation
Peak forward surge current, 8.3 ms single half sine-wave
superimposed on rated load
Typcial thermal resistance
Operating junction temperature range
Storage temperature range
SYMBOL
P
PK
P
D
I
FSM
R
θJA
R
θJL
T
J
T
STG
Value
600
4
50
56
20
- 55 to +175
- 55 to +175
UNIT
Watts
Watts
A
°C/W
°C
°C
Note 1: Non-repetitive Current Pulse Per Fig. 3 and Derated above T
A
=25°C Per Fig. 2
Document Number: DS_D1502001
Version: A15
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