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UF5402

产品描述3 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小115KB,共2页
制造商DACHANG
官网地址http://www.dachang.com.cn
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UF5402概述

3 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD

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SIYU
R
UF5400 ...... UF5408
Plastic Ultra-Fast Recover Rectifier
Reverse Voltage 50 to 1000V
Forward Current 3.0A
特征
Features
DO-27
塑封超快速整流二极管
反向电压
50 --- 1000 V
正向电流3.0
A
·反向漏电流½
Low reverse leakage
·正向浪涌承受½力较强
High forward surge capability
.052(1.3)
DIA
.048(1.2)
1.0(25.4)
MIN
.375(9.5)
.335(8.5)
.220(5.6)
DIA
.197(5.0)
1.0(25.4)
MIN
·高温焊接保证
High temperature soldering guaranteed:
260℃/10
秒,
0.375" (9.5mm)引线长度。
260℃/10 seconds, 0.375" (9.5mm) lead length,
·引线可承受5 磅
(2.3kg)
拉力。
5 lbs. (2.3kg) tension
·引线和管½皆符合RoHS标准 。
Lead and body according with RoHS standard
机械数据
Mechanical Data
·端子: 镀锡½向引线
Terminals: Plated axial leads
·极性: 色环端为负极
Polarity: Color band denotes cathode end
·安装½½: 任意
Mounting Position: Any
Unit:inch(mm)
极限值和温度特性
TA = 25℃
除非另有规定。
Maximum Ratings & Thermal Characteristics
符号
Symbols
最大可重复峰值反向电压
Maximum repetitive peak reverse voltage
Ratings at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified.
UF
5401
UF
5402
UF
5403
UF
5404
UF
5405
UF
5406
UF
5407
UF
5408
UF
5400
单½
Unit
V
V
V
A
A
℃/W
V
RRM
50
35
50
100
70
100
200
140
200
300
210
300
400
280
400
3.0
150
20
500
350
500
600
420
600
800
560
800
1000
700
1000
最大均方根电压
Maximum RMS voltage
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
I
FSM
R
θJA
Tj, TSTG
最大直流阻断电压
Maximum DC blocking voltage
最大正向平均整流电流
Maximum average forward rectified current
峰值正向浪涌电流 8.3ms单一正弦半波
Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave
典型热阻
Typical thermal resistance
工½结温和存储温度
Operating junction and storage temperature range
-55 --- +150
电特性
TA = 25℃
除非另有规定。
Electrical Characteristics
Ratings at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified.
符号
Symbols
最大正向电压
Maximum forward voltage
UF
5400
UF
5401
UF
5402
UF
5403
UF
5404
UF
5405
UF
5406
UF
5407
UF
5408
单½
Unit
V
μA
I
F
= 3.0A
TA= 25℃
TA=100℃
I
F
=0.5A I
R
=1.0A I
RR
=0.25A
V
F
I
R
trr
C
j
1.0
10
200
50
75
1.25
1.7
最大反向电流
Maximum reverse current
最大反向恢复时间
MAX. Reverse Recovery Time
75
50
nS
pF
典型结电容
Type junction capacitance
V
R
= 4.0V, f = 1MHz
大昌电子
DACHANG ELECTRONICS

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描述 3 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD 3 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD 3 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD 3 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD 3 A, 300 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD 3 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD 3 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD 3 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD 3 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD 3 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD
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