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TSM040N03CPROG

产品描述30V N-Channel Power MOSFET
文件大小334KB,共5页
制造商Taiwan Semiconductor
官网地址http://www.taiwansemi.com/
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TSM040N03CPROG概述

30V N-Channel Power MOSFET

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TSM040N03CP
30V N-Channel Power MOSFET
TO-252
(DPAK)
Pin Definition:
1. Gate
2. Drain
3. Source
Key Parameter Performance
Parameter
V
DS
V
GS
= 10V
R
DS(on)
(max)
Q
g
V
GS
= 4.5V
Value
30
4
Unit
V
6
24
nC
Ordering Information
Part No.
Package
Packing
TSM040N03CP ROG
TO-252
2.5kpcs / 13” Reel
Note:
“G” denotes for Halogen- and Antimony-free as those which contain
<900ppm bromine, <900ppm chlorine (<1500ppm total Br + Cl) and
<1000ppm antimony compounds
Block Diagram
N-Channel MOSFET
Absolute Maximum Ratings
(T
C
=25
o
C unless otherwise noted)
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current
Pulsed Drain Current
(Note 1)
Single Pulse Avalanche Energy
(Note 2)
Single Pulse Avalanche Current
(Note 2)
Total Power Dissipation
@ T
C
=25
o
C
Derate above T
C
=25
o
C
T
C
=25ºC
T
C
=100ºC
Symbol
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
E
AS
I
AS
P
D
T
J
T
STG
Limit
30
±20
90
57
360
125
50
88
0.59
150
-55 to +150
Unit
V
V
A
A
A
mJ
A
W
W/ºC
ºC
o
Operating Junction Temperature
Storage Temperature Range
C
Thermal Performance
Parameter
Thermal Resistance - Junction to Case
Thermal Resistance - Junction to Ambient
Symbol
R
ӨJC
R
ӨJA
Limit
1.7
62
Unit
o
o
C/W
C/W
1/5
Version: A14

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