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GBL402

产品描述3 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小142KB,共2页
制造商DACHANG
官网地址http://www.dachang.com.cn
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GBL402概述

3 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE

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SIYU
R
GBL401......GBL407
Single-phase Silicon Bridge Rectifier
Reverse Voltage 50 to 1000 V
Forward Current 4.0A
特征
Features
·反向漏电流½
Low reverse leakage
3.5 ± 0.2
塑封硅整流桥堆
反向电压
50---1000V
正向电流
4.0 A
GBL
20.0 ± 0.5
·正向浪涌承受½力较强
High forward surge capability
·浪涌承受½力:120 A
Surge
overload rating: 120 Amperes peak
11.0 ± 0.3
13.5 ± 0.7
2.5 ± 0.2
1.4 ± 0.2
1.0 ± 0.1
1.0 ± 0.2
·引线和管½皆符合RoHS标准 。
Lead and body according with RoHS standard
机械数据
Mechanical Data
·封装:
塑料封装
Case: Molded Plastic
0.5 ± 0.2
5.0 ± 0.2 5.0 ± 0.2 5.0 ± 0.2
·极性:
标记模压或印于本½
Polarity: Symbols molded or marked on body
·安装½½:
任意
Mounting Position: Any
Unit:mm
极限值和温度特性
TA = 25℃
除非另有规定。
Maximum Ratings & Thermal Characteristics
符号
Symbols
最大可重复峰值反向电压
Maximum repetitive peak reverse voltage
最大均方根电压
Maximum RMS voltage
最大直流阻断电压
Maximum DC blocking voltage
TC =50℃
最大正向平均整流电流
Maximum average forward rectified current
Ratings at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified.
GBL
401
50
35
50
GBL
402
100
70
100
GBL
403
200
140
200
GBL
404
400
280
400
4.0
120
47
GBL
405
600
420
600
GBL
406
800
560
800
GBL
407
1000
700
1000
单½
Unit
V
V
V
A
A
℃/W
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
I
FSM
R
θJA
Tj, TSTG
峰值正向浪涌电流 8.3ms单一正弦半波
Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave
典型热阻
Typical thermal resistance
工½结温和存储温度
Operating junction and storage temperature range
-55--- +150
电特性
TA = 25℃
除非另有规定。
Electrical Characteristics
Ratings at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified.
符号
Symbols
最大正向电压
Maximum forward voltage
GBL
401
GBL
402
GBL
403
GBL
404
1.0
10
500
GBL
405
GBL
406
GBL
407
单½
Unit
V
μA
I
F
=2.0A
TA= 25℃
TA = 125℃
V
F
最大反向电流
Maximum reverse current
I
R
大昌电子
DACHANG ELECTRONICS

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