20V P-Channel MOSFET
参数名称 | 属性值 |
厂商名称 | Taiwan Semiconductor |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 |
Reach Compliance Code | compli |
ECCN代码 | EAR99 |
其他特性 | ULTRA-LOW RESISTANCE |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 20 V |
最大漏极电流 (ID) | 4.7 A |
最大漏源导通电阻 | 0.06 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G6 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 6 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
极性/信道类型 | P-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 20 A |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | YES |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | DUAL |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
TSM3443CX6RF | TSM3443CX6RFG | TSM3443_14 | |
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描述 | 20V P-Channel MOSFET | 20V P-Channel MOSFET | 20V P-Channel MOSFET |
厂商名称 | Taiwan Semiconductor | Taiwan Semiconductor | - |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 | - |
Reach Compliance Code | compli | compli | - |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | - |
其他特性 | ULTRA-LOW RESISTANCE | ULTRA-LOW RESISTANCE | - |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | - |
最小漏源击穿电压 | 20 V | 20 V | - |
最大漏极电流 (ID) | 4.7 A | 4.7 A | - |
最大漏源导通电阻 | 0.06 Ω | 0.06 Ω | - |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G6 | R-PDSO-G6 | - |
元件数量 | 1 | 1 | - |
端子数量 | 6 | 6 | - |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | - |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | - |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | - |
封装形式 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE | - |
极性/信道类型 | P-CHANNEL | P-CHANNEL | - |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 20 A | 20 A | - |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | - |
表面贴装 | YES | YES | - |
端子形式 | GULL WING | GULL WING | - |
端子位置 | DUAL | DUAL | - |
晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING | - |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | - |
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