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TSM3443CX6RF

产品描述20V P-Channel MOSFET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小530KB,共6页
制造商Taiwan Semiconductor
官网地址http://www.taiwansemi.com/
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TSM3443CX6RF概述

20V P-Channel MOSFET

TSM3443CX6RF规格参数

参数名称属性值
厂商名称Taiwan Semiconductor
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
其他特性ULTRA-LOW RESISTANCE
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压20 V
最大漏极电流 (ID)4.7 A
最大漏源导通电阻0.06 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDSO-G6
元件数量1
端子数量6
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)20 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

TSM3443CX6RF相似产品对比

TSM3443CX6RF TSM3443CX6RFG TSM3443_14
描述 20V P-Channel MOSFET 20V P-Channel MOSFET 20V P-Channel MOSFET
厂商名称 Taiwan Semiconductor Taiwan Semiconductor -
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 -
Reach Compliance Code compli compli -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -
其他特性 ULTRA-LOW RESISTANCE ULTRA-LOW RESISTANCE -
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE -
最小漏源击穿电压 20 V 20 V -
最大漏极电流 (ID) 4.7 A 4.7 A -
最大漏源导通电阻 0.06 Ω 0.06 Ω -
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR -
JESD-30 代码 R-PDSO-G6 R-PDSO-G6 -
元件数量 1 1 -
端子数量 6 6 -
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE -
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY -
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR -
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE -
极性/信道类型 P-CHANNEL P-CHANNEL -
最大脉冲漏极电流 (IDM) 20 A 20 A -
认证状态 Not Qualified Not Qualified -
表面贴装 YES YES -
端子形式 GULL WING GULL WING -
端子位置 DUAL DUAL -
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING -
晶体管元件材料 SILICON SILICON -

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