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CBR10F-060P

产品描述10 A, 600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小462KB,共2页
制造商Central Semiconductor
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CBR10F-060P概述

10 A, 600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE

CBR10F-060P规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Central Semiconductor
包装说明PLASTIC PACKAGE-4
针数4
Reach Compliance Codeunknow
配置BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.3 V
JESD-30 代码S-PUFM-D4
JESD-609代码e0
最大非重复峰值正向电流200 A
元件数量4
相数1
端子数量4
最高工作温度150 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流10 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状SQUARE
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压600 V
最大反向电流10 µA
最大反向恢复时间0.35 µs
反向测试电压600 V
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式SOLDER LUG
端子位置UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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CBR10F-010P SERIES
FAST RECOVERY
SILICON BRIDGE RECTIFIERS
10 AMP, 100 THRU 600 VOLT
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CBR10F-010P series
devices are silicon, single phase, full wave bridge rectifiers
designed for fast recovery applications. The molded
epoxy case has a built-in metal baseplate for heat sink
mounting. The device utilizes standard 0.25” FASTON
terminals.
MARKING: FULL PART NUMBER
CASE FP
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL -010P
Peak Repetitive Reverse Voltage
VRRM
100
DC Blocking Voltage
VR
100
RMS Reverse Voltage
Average Forward Current (TC=60°C)
Peak Forward Surge Current
RMS Isolation Voltage (case to lead)
Operating and StorageJunction Temperature
Thermal Resistance
VR(RMS)
IO
IFSM
Viso
TJ, Tstg
Θ
JC
70
CBR10F
-020P
-040P
200
400
200
140
10
200
2500
-65 to +150
1.5
400
280
-060P
600
600
420
UNITS
V
V
V
A
A
Vac
°C
°C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS PER DIODE:
(TA=25°C)
SYMBOL TEST CONDITIONS
IR
VR=Rated VRRM
VF
IF=5.0A
trr
trr
IF=0.5A, IR=1.0A,
IF=0.5A, IR=1.0A,
Irr=0.25A (100V, 200V, 400V)
Irr=0.25A (600V)
MIN
MAX
10
1.3
200
350
UNITS
μA
V
ns
ns
R1 (4-November 2013)

CBR10F-060P相似产品对比

CBR10F-060P CBR10F-010P_15 CBR10F-020P CBR10F-040P
描述 10 A, 600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 10 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 10 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 10 A, 400 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
是否无铅 含铅 - 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 - 不符合 不符合
厂商名称 Central Semiconductor - Central Semiconductor Central Semiconductor
包装说明 PLASTIC PACKAGE-4 - PLASTIC PACKAGE-4 PLASTIC PACKAGE-4
针数 4 - 4 4
Reach Compliance Code unknow - unknow unknown
配置 BRIDGE, 4 ELEMENTS - BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料 SILICON - SILICON SILICON
二极管类型 BRIDGE RECTIFIER DIODE - BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1.3 V - 1.3 V 1.3 V
JESD-30 代码 S-PUFM-D4 - S-PUFM-D4 S-PUFM-D4
JESD-609代码 e0 - e0 e0
最大非重复峰值正向电流 200 A - 200 A 200 A
元件数量 4 - 4 4
相数 1 - 1 1
端子数量 4 - 4 4
最高工作温度 150 °C - 150 °C 150 °C
最低工作温度 -65 °C - -65 °C -65 °C
最大输出电流 10 A - 10 A 10 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 SQUARE - SQUARE SQUARE
封装形式 FLANGE MOUNT - FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
认证状态 Not Qualified - Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 600 V - 200 V 400 V
最大反向电流 10 µA - 10 µA 10 µA
最大反向恢复时间 0.35 µs - 0.2 µs 0.2 µs
反向测试电压 600 V - 200 V 400 V
表面贴装 NO - NO NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) - Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 SOLDER LUG - SOLDER LUG SOLDER LUG
端子位置 UPPER - UPPER UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED

 
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