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1N5620

产品描述1.5 A, SILICON, SIGNAL DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小402KB,共2页
制造商Central Semiconductor
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1N5620概述

1.5 A, SILICON, SIGNAL DIODE

1N5620规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Central Semiconductor
包装说明E-XALF-W2
针数2
制造商包装代码GPR-1A
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
其他特性HIGH RELIABILITY
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.2 V
JESD-30 代码E-XALF-W2
JESD-609代码e0
最大非重复峰值正向电流50 A
元件数量1
端子数量2
最高工作温度200 °C
最大输出电流1 A
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状ELLIPTICAL
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压800 V
最大反向恢复时间2 µs
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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1N5614
1N5616
1N5618
1N5620
1N5622
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
GLASS PASSIVATED
SILICON RECTIFIERS
1.0 AMP, 200 THRU 800 VOLT
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR 1N5614 series
types are silicon rectifiers mounted in a hermetically
sealed, glass passivated package, designed for general
purpose applications where high reliability is desired.
MARKING: FULL PART NUMBER
GPR-1A CASE
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL 1N5614 1N5616 1N5618 1N5620 1N5622 UNITS
Peak Repetitive Reverse Voltage
VRRM
200
400
600
800
1000
V
DC Blocking Voltage
RMS Reverse Voltage
Average Forward Current (TA=55°C)
Peak Forward Surge Current, tp=8.3ms
Operating and Storage Junction Temperature
ELECTRICAL
SYMBOL
IR
IR
BVR
BVR
BVR
BVR
BVR
VF
CJ
trr
VR
VR(RMS)
IO
IFSM
TJ, Tstg
200
140
400
280
600
420
1.0
40
-65 to +200
800
560
1000
700
V
V
A
A
°C
CHARACTERISTICS:
(TA=25°C unless otherwise noted)
TEST CONDITIONS
MIN
VR=Rated VRRM
VR=Rated VRRM, TA=100°C
IR=50μA (1N5614)
IR=50μA (1N5616)
IR=50μA (1N5618)
IR=50μA (1N5620)
IR=50μA (1N5622)
IF=1.0A
VR=12V, f=130kHz
IF=0.5A, IR=1.0A, Irr=0.25A
220
440
660
880
1100
MAX
0.5
25
UNITS
μA
μA
V
V
V
V
V
1.2
35
2.0
V
pF
μs
R3 (27-February 2013)

1N5620相似产品对比

1N5620 1N5614 1N5616 1N5618 1N5622
描述 1.5 A, SILICON, SIGNAL DIODE 1 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AP 1 A, 400 V, SILICON, SIGNAL DIODE 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE 1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE
是否无铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
包装说明 E-XALF-W2 GPR-1A, 2 PIN E-XALF-W2 GPR-1A, 2 PIN GPR-1A, 2 PIN
针数 2 2 2 2 2
制造商包装代码 GPR-1A GPR-1A GPR-1A GPR-1A GPR-1A
Reach Compliance Code not_compliant _compli not_compliant _compli _compli
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
其他特性 HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY
外壳连接 ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1.2 V 1.2 V 1.2 V 1.2 V 1.2 V
JESD-30 代码 E-XALF-W2 E-XALF-W2 E-XALF-W2 E-XALF-W2 E-XALF-W2
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0
最大非重复峰值正向电流 50 A 50 A 50 A 50 A 50 A
元件数量 1 1 1 1 1
端子数量 2 2 2 2 2
最高工作温度 200 °C 200 °C 200 °C 200 °C 200 °C
最大输出电流 1 A 1 A 1 A 1 A 1 A
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装形状 ELLIPTICAL ELLIPTICAL ELLIPTICAL ELLIPTICAL ELLIPTICAL
封装形式 LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 800 V 200 V 400 V 600 V 1000 V
最大反向恢复时间 2 µs 2 µs 2 µs 2 µs 2 µs
表面贴装 NO NO NO NO NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 WIRE WIRE WIRE WIRE WIRE
端子位置 AXIAL AXIAL AXIAL AXIAL AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
厂商名称 Central Semiconductor - Central Semiconductor - Central Semiconductor
Base Number Matches 1 1 1 1 -
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