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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> CN646
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CN646

产品描述0.4 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小69KB，共2页
制造商Central Semiconductor
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CN646概述

0.4 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41

CN646规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
零件包装代码DO-41
包装说明DO-41SP, 2 PIN
针数2
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1 V
JEDEC-95代码DO-41
JESD-30 代码O-XALF-W2
JESD-609代码e0
最大非重复峰值正向电流3 A
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流0.4 A
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
最大功率耗散0.6 W
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压300 V
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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DATA SHEET
CN645 THRU CN649
GLASS PASSIVATED JUNCTION
GENERAL PURPOSE DIODE
DO-41SP CASE
DESCRIPTION
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CN645 Series types are Glass Passivated Junction general-purpose diodes, which are
well constructed, highly reliable components designed for use in all types of commercial, industrial, entertainment, computer
and automotive applications.
MAXIMUM RATINGS (TA=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL
Peak Working Reverse Voltage
VRWM
Average Forward Current
IO
IO
Average Forward Current (TA=150°C)
Peak Forward Surge Current
IFSM
Power Dissipation
PD
Operating and Storage
Junction Temperature
TJ,Tstg
CN645 CN646 CN647 CN648 CN649
225
300
400
500
600
400
150
3.0
600
-65 to 150
UNITS
V
mA
mA
A
mW
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25°C unless otherwise noted)
CN645
CN646
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN MAX MIN MAX
VBR
IR=100µA, TA=100°C
275
360
IR
VR=RATED VRWM, TA=100°C
15
15
IR
VR=RATED VRWM
0.2
0.2
VF
IF=400mA
1.0
1.0
CT
VR=12V, f=1.0MHz
11 TYP
11 TYP
CN647
MIN MAX
480
20
0.2
1.0
11 TYP
CN648
MIN MAX
600
20
0.2
1.0
11 TYP
CN649
MIN MAX
720
25
0.2
1.0
11 TYP
UNITS
V
µA
µA
V
pF
(SEE REVERSE SIDE)
R1

CN646相似产品对比

CN646 CN645 CN647 CN649 CN645_15 CN648
描述 0.4 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 0.4 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 0.4 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 0.4 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 0.4 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 0.4 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41
是否无铅 含铅 含铅 含铅 含铅 - 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 - 不符合
零件包装代码 DO-41 DO-41 DO-41 DO-41 - DO-41
包装说明 DO-41SP, 2 PIN DO-41SP, 2 PIN O-XALF-W2 O-XALF-W2 - DO-41SP, 2 PIN
针数 2 2 2 2 - 2
Reach Compliance Code _compli _compli unknow unknown - _compli
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 - EAR99
外壳连接 ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED - ISOLATED
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE - SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON - SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE - RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1 V 1 V 1 V 1 V - 1 V
JEDEC-95代码 DO-41 DO-41 DO-41 DO-41 - DO-41
JESD-30 代码 O-XALF-W2 O-XALF-W2 O-XALF-W2 O-XALF-W2 - O-XALF-W2
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 - e0
最大非重复峰值正向电流 3 A 3 A 3 A 3 A - 3 A
元件数量 1 1 1 1 - 1
端子数量 2 2 2 2 - 2
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C - 150 °C
最低工作温度 -65 °C -65 °C -65 °C -65 °C - -65 °C
最大输出电流 0.4 A 0.4 A 0.4 A 0.4 A - 0.4 A
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED - UNSPECIFIED
封装形状 ROUND ROUND ROUND ROUND - ROUND
封装形式 LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM - LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED
最大功率耗散 0.6 W 0.6 W 0.6 W 0.6 W - 0.6 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified - Not Qualified
最大重复峰值反向电压 300 V 225 V 400 V 600 V - 500 V
表面贴装 NO NO NO NO - NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) - Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 WIRE WIRE WIRE WIRE - WIRE
端子位置 AXIAL AXIAL AXIAL AXIAL - AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED

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