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PT511-2

产品描述TO-Can PIN Photodiode
文件大小66KB,共1页
制造商Roithner Lasertechnik GmbH
官网地址http://www.roithner-laser.com/
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PT511-2概述

TO-Can PIN Photodiode

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PT511-2
TECHNICAL DATA
TO-Can PIN Photodiode
PT511-2 is an InGaAs pin structure based photodiode on InP by MOCVD method and planar
diffusing technology. The sensitive area is Ø 300µm respectively. TO-46 package with flat glass
lens.
Absolute Maximum Ratings
Item
Symbol
Value
Unit
Reverse Voltage
U
R
30
V
Reverse current
I
R
1000
µA
Forward current
I
F
5
mA
Power Dissipation
P
D
100
mW
Operating Temperature
T
opr
-40 … +85
°C
Storage Temperature
T
stg
-40 … +125 °C
Soldering Temperature *
T
sol
260
°C
*
must be completed within 10 seconds
Specifications
Item
Wavelength Range
Sensitive Area
Unsaturated Power
Responsivity
Capacitance (-5 V)
Dark Current (-5 V)
Rise/Fall time
Saturation Power
Value
850 .. 1650
Ø 300
10
0.85
2
≤1
3
>10
Unit
nm
µm
dBm
A/W
pF
nA
ns
dB
λ=1300
nm
Drawing (mm)
Bottom View
15.11.2010
PT511-2
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