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SMB1N-810D

产品描述infrared high power led
文件大小733KB,共4页
制造商Roithner Lasertechnik GmbH
官网地址http://www.roithner-laser.com/
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SMB1N-810D概述

infrared high power led

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SMB1N-810D
v 1.0 18.07.2014
Description
SMB1N-810D
is a surface mount AlGaAs High Power LED with a typical peak wavelength of
810 nm
and
radiation of
560 mW.
It comes in SMD package (PA9T) with silver plated soldering pads (lead free
solderable), copper heat sink, and molded with silicone resin.
Maximum Ratings
Parameter
Power Dissipation
Forward Current
1
Pulse Forward Current *
Reverse Voltage
Thermal Resistance
Junction Temperature
Operating Temperature
Storage Temperature
2
Lead Solder Temperature *
(T
CASE
=25°C)
Symbol
P
D
I
F
I
FP
V
F
R
THJA
T
J
T
CASE
T
STG
T
SLD
Values
Min.
Max.
2000
800
2000
5
10
120
+ 100
+ 100
+ 250
Unit
mW
mA
mA
V
K/W
°C
°C
°C
°C
- 40
- 40
* duty=1%, pulse width = 10 µs
2
* must be completed within 5 seconds
1
Electro-Optical Characteristics
Parameter
Peak Wavelength
Half Width
Forward Voltage
Radiated Power *
1
(T
CASE
=25°C)
Values
Typ.
810
30
1.7
2.2
560
1270
180
410
126
60
70
Unit
nm
nm
V
mW
mW/sr
deg.
ns
ns
Symbol Conditions
λ
P
∆λ
V
F
V
FP
P
O
I
E
φ
t
R
t
F
I
F
=800mA
I
F
=800mA
I
F
=800mA
I
FP
=2A
I
F
=800mA
I
FP
=2A
I
F
=800mA
I
FP
=2A
I
F
=100mA
I
F
=800mA
I
F
=800mA
Min.
800
Max.
820
(2.5)
Radiant Intensity *
Viewing Angle
Rise Time
Fall Time
1
2
* measured by S3584-08
2
* measured by CIE127-2007 Condition B
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