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VN0550ND

产品描述Small Signal Field-Effect Transistor, 500V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DIE
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小29KB,共4页
制造商Supertex
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VN0550ND概述

Small Signal Field-Effect Transistor, 500V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DIE

VN0550ND规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
零件包装代码DIE
包装说明UNCASED CHIP, S-XUUC-N3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性HIGH INPUT IMPEDANCE
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压500 V
最大漏源导通电阻60 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)5 pF
JESD-30 代码S-XUUC-N3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状SQUARE
封装形式UNCASED CHIP
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层TIN LEAD
端子形式NO LEAD
端子位置UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

VN0550ND相似产品对比

VN0550ND VN0550N2
描述 Small Signal Field-Effect Transistor, 500V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DIE Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 500V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-39
是否Rohs认证 不符合 不符合
包装说明 UNCASED CHIP, S-XUUC-N3 CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Code compliant unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99
其他特性 HIGH INPUT IMPEDANCE HIGH INPUT IMPEDANCE
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 500 V 500 V
最大漏源导通电阻 60 Ω 60 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss) 5 pF 5 pF
JESD-30 代码 S-XUUC-N3 O-MBCY-W3
JESD-609代码 e0 e0
元件数量 1 1
端子数量 3 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 UNSPECIFIED METAL
封装形状 SQUARE ROUND
封装形式 UNCASED CHIP CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES NO
端子面层 TIN LEAD Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 NO LEAD WIRE
端子位置 UPPER BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON

 
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