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CMLM3405_15

产品描述SCHOTTKY DIODE
文件大小510KB,共3页
制造商Central Semiconductor
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CMLM3405_15概述

SCHOTTKY DIODE

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CMLM3405
MULTI DISCRETE MODULE
SURFACE MOUNT SILICON
HIGH CURRENT
LOW VCE(SAT) NPN TRANSISTOR AND
LOW VF SCHOTTKY DIODE
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMLM3405 is a
single NPN transistor and Schottky diode packaged in
a space saving SOT-563 case and designed for small
signal general purpose applications where size and
operational efficiency are prime requirements.
• Complementary Device:
CMLM7405
• Combination High Current Low VCE(SAT)
Transistor and Low VF Schottky Diode.
SOT-563 CASE
MAXIMUM RATINGS - CASE:
(TA=25°C)
Power Dissipation
Operating and Storage Junction Temperature
Thermal Resistance
MAXIMUM RATINGS - Q1:
(TA=25°C)
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Continuous Collector Current
Peak Collector Current
MAXIMUM RATINGS - D1:
(TA=25°C)
Peak Repetitive Reverse Voltage
Continuous Forward Current
Peak Repetitive Forward Current, tp
≤1.0ms
Peak Forward Surge Current, tp= 8.0ms
MARKING CODE: C53
SYMBOL
PD
TJ, Tstg
Θ
JA
SYMBOL
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICM
SYMBOL
VRRM
IF
IFRM
IFSM
350
-65 to +150
357
UNITS
mW
°C
°C/W
UNITS
V
V
V
A
A
UNITS
V
mA
A
A
40
25
6.0
1.0
1.5
40
500
3.5
10
ELECTRICAL CHARACTERISTICS - Q1:
(TA=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
TYP
ICBO
VCB=40V
IEBO
VEB=6.0V
BVCBO
IC=100μA
40
BVCEO
IC=10mA
25
BVEBO
VCE(SAT)
VCE(SAT)
VCE(SAT)
VCE(SAT)
VCE(SAT)
VCE(SAT)
VBE(SAT)
VBE(ON)
IE=100μA
IC=50mA, IB=5.0mA
IC=100mA, IB=10mA
IC=200mA, IB=20mA
IC=500mA, IB=50mA
IC=800mA, IB=80mA
IC=1.0A, IB=100mA
IC=800mA, IB=80mA
VCE=1.0V, IC=10mA
6.0
20
35
75
130
200
250
MAX
100
100
UNITS
nA
nA
V
V
V
mV
mV
mV
mV
mV
mV
V
V
50
75
150
250
400
450
1.1
0.9
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