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SXA389BZSR

产品描述RF/MICROWAVE WIDE BAND MEDIUM POWER AMPLIFIER
产品类别热门应用    无线/射频/通信   
文件大小679KB,共10页
制造商RF Micro Devices (Qorvo)
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SXA389BZSR概述

RF/MICROWAVE WIDE BAND MEDIUM POWER AMPLIFIER

射频/微波宽带功率放大器

SXA389BZSR规格参数

参数名称属性值
状态ACTIVE
微波射频类型WIDE 波段 MEDIUM POWER

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SXA389BZ
400MHz to
2500MHz
¼W Medium
Power GaAs
HBT Amplifier
With Active
Bias
SXA389BZ
400MHz to 2500MHz ¼W MEDIUM POWER
GaAs HBT AMPLIFIER WITH ACTIVE BIAS
Package: SOT-89
Product Description
RFMD’s SXA389BZ amplifier is a high efficiency GaAs Heterojunction
Bipolar Transistor (HBT) MMIC housed in low-cost surface mountable plas-
tic package. These HBT MMICs are fabricated using molecular beam epi-
taxial growth technology which produces reliable and consistent
performance from wafer to wafer and lot to lot. These amplifiers are spe-
cially designed for use as driver devices for infrastructure equipment in
the 400 MHz to 2500 MHz cellular, ISM, WLL, PCS, WCDMA applications.
Its high linearity makes it an ideal choice for multi-carrier as well as digital
Optimum Technology
applications.
Features
Lower R
TH
for increased MTTF
10
8
Hours at T
Lead
=85C
On-Chip Active Bias Control, Sin-
gle 5V Supply
Excellent Linearity:+43dBm Typ.
OIP
3
at 1960MHz
High P
1dB
:+25dBm Typ.
High Gain:+18.5dB at 850MHz
Efficient: Consumes Only
575mW
Matching® Applied
GaAs HBT
GaAs MESFET
InGaP HBT
SiGe BiCMOS
Si BiCMOS
Typical OIP
3
, P1dB, Gain
dBm
SiGe HBT
GaAs pHEMT
Si CMOS
Si BJT
GaN HEMT
InP HBT
RF MEMS
LDMOS
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
850 MHz
1960 MHz
2140 MHz
OIP3
P1dB
Gain
Applications
W-CDMA, PCS, Cellular Systems
Multi-Carrier Applications
2450 MHz
Parameter
Small Signal Gain
Min.
12.5
Specification
Typ.
18.4
13.6
13.5
12.8
25.0
25.0
25.0
25.0
41.0
43.0
42.0
41.0
4.5
4.8
5.0
5.7
1.2:1
1.3:1
1.2:1
1.2:1
575.0
115
70
Max.
15.0
Unit
dB
dB
dB
dB
dBm
dBm
dBm
dBm
dBm
dBm
dBm
dBm
dB
dB
dB
dB
Condition
850MHz
1960MHz
2140MHz
2450MHz
850MHz
1960MHz
2140MHz
2450MHz
850MHz, P
OUT
per tone=+11dBm, Tone
Spacing=1MHz
1960MHz
2140MHz
2450MHz
850MHz
1960MHz
2140MHz
2450MHz
850MHz
1960MHz
2140MHz
2450MHz
V
CC
=5V
junction to backside
Output Power at 1dB Compression
24.0
Output Third Order Intercept Point
39.0
Noise Figure
6.3
Input VSWR
2.0:1
Operating Dissipated Power
Device Operating Current
Thermal Resistance
90
135
mW
mA
°C/W
RF MICRO DEVICES®, RFMD®, Optimum Technology Matching®, Enabling Wireless Connectivity™, PowerStar®, POLARIS™ TOTAL RADIO™ and UltimateBlue™ are trademarks of RFMD, LLC. BLUETOOTH is a trade-
mark owned by Bluetooth SIG, Inc., U.S.A. and licensed for use by RFMD. All other trade names, trademarks and registered trademarks are the property of their respective owners. ©2006, RF Micro Devices, Inc.
DS110610
7628 Thorndike Road, Greensboro, NC 27409-9421 · For sales or technical
support, contact RFMD at (+1) 336-678-5570 or sales-support@rfmd.com.
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