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2SC1913_2014

产品描述Silicon NPN Power Transistors
文件大小47KB,共3页
制造商Quanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.
官网地址http://www.jmnic.com/
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2SC1913_2014概述

Silicon NPN Power Transistors

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Product Specification
www.jmnic.com
Silicon NPN Power Transistors
2SC1913 2SC1913A
DESCRIPTION
・With
TO-220 package
・Complement
to type 2SA913/913A
・Large
collector power dissipation
・High
V
CEO
APPLICATIONS
・Audio
frequency high power driver
PINNING
PIN
1
2
3
Base
Collector;connected to
mounting base
Emitter
Fig.1 simplified outline (TO-220) and symbol
DESCRIPTION
Absolute maximum ratings(Ta=25
℃)
SYMBOL
V
CBO
PARAMETER
2SC1913
Collector-base voltage
2SC1913A
2SC1913
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CM
P
C
T
j
T
stg
Collector-emitter voltage
2SC1913A
Emitter-base voltage
Collector current
Collector current-peak
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
T
C
=25℃
Open collector
Open base
180
5
1
1.5
15
150
-55~150
V
A
A
W
Open emitter
180
150
V
CONDITIONS
VALUE
150
V
UNIT
JMnic

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描述
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